1) silicon unijunction transistor
硅单结晶体管
2) programmable unijunction transistor
程序可控单结硅晶体管
3) silicon junction transistor
硅面结晶晶体管
4) unijunction transistor
单结晶体管
1.
The unijunction transistor influence the AVR pre-exiting performance;
单结晶体管对励磁调压器起励性能的影响
2.
This paper presents a new electronic relay consisting of unijunction transistors.
介绍了一种多功能电子继电器，它采用单结晶体管构成，具有短路速断动作、过流反时限延时动作、缺相延时动作等功能，体积小，功耗低，动作灵敏，价格低，适用于各种电力设备尤其是电机负载。
5) silicon junction transistor
硅面结型晶体管
6) unijunction transistor
单结型晶体管
补充资料：单结晶体管
只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极(图中)。当基极B1和B2之间加上电压时（图中b），电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性（见图c）,特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条