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1)  rectenna [rek'tenə]
硅整流二极管天线
2)  silicon rectifier diode
硅整流二极管
1.
The origin of △UF of automobile silicon rectifier diode is introduced here.
介绍汽车硅整流二极管△UF的由来,详细阐述实验中影响△UF值的各项因素及降低△UF的方法。
3)  silicon diode rectifier
硅二极管整流器
4)  silicon diode excitation
硅二极管[整流器]励磁
5)  rectifier diode
整流二极管
1.
The electrical parameter of the rectifier diode should be reflected with its absolute maximum ratings and electrical characteristics , while the absolute maximum ratings should be reflected with results of electrical characteristics parameter after testing.
整流二极管的电参数是要通过额定值参数和电特性参数来反映,而额定值参数是要通过试验后由电特性参数的测试结果来反映,电特性参数水平则是要通过电测试来确定,整流二极管的电特性指标不但与测试条件、环境条件等有关;更重要的还与测试方法有关,本文论述了测试方法如何影响整流二极管的电参数水平。
6)  valve tube
二极整流管
补充资料:快速整流二极管
      能够迅速由正向导通状态转变为反向阻断状态的整流二极管。其结构、伏安特性和电路符号与整流二极管相同。工作于交变电压场合时,二极管正向导通产生的储存载流子在该器件变为反向阻断时必须衰减消失,这就是反向恢复过程。如果这一过程比较长,外加电压的交变频率又比较高,则在负半周期间来不及将储存载流子全部抽出,器件未能达到反向阻断状态,将导致整流特性变坏以至失去整流作用。为减少反向恢复时间,通常采用向硅单晶内掺入起复合中心作用的杂质原子(如金等),加速储存载流子减少的速度。这样,反向恢复时间可以减少到1微秒以内,甚至可达到5~10纳秒。快速整流二极管主要用于高频整流电路、斩波器、逆变器等。
  

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