1) transverse arm,track control arm
横向摆臂
2) right left horizontal oscillating arm
左、右横摆臂
1.
Through analyzing the forming technologies of right left horizontal oscillating arm, the reasonable stamping technology is determined.
通过对左、右横摆臂成形工艺的分析 ,确定了合理的冲压工艺方案 ,减少了模具的投入 ,取得了良好的效果。
3) Back swing
向后摆臂
4) side throw
横向摆动
1.
Dynamic analysis of side throw of woodworking band saw blades based on the frequency control
变频调速下木工带锯条横向摆动动力特性分析
5) beam position
横臂位置;摆位
6) lateral oscillation force
横向摇摆力
1.
Based on the analysis of the lateral acceleration data of vehicles measured in Shanghai Metro Line3,this paper suggests that the lateral oscillation force of the vehicles shall choose 10% of the vertical load on a single wheel.
根据铁路车辆及上海轨道交通 3号线上实测车辆横向加速度值 ,建议横向摇摆力取轴重的 10 %。
补充资料：横向磁场中的空心超导圆柱体（hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield）
横向磁场中的空心超导圆柱体（hollowsuperconductingcylinderinatransversalmagneticfield）
垂直于柱轴（横向）磁场H0中的空心超导长圆柱体就其磁性质讲是单连通超导体。徐龙道和Zharkov由GL理论给出中空部分的磁场强度H1和样品单位长度磁矩M的完整解式，而在`\zeta_1\gt\gt1`和$\Delta\gt\gt1$条件下为：
$H_1=\frac{4H_0}{\zeta_1}sqrt{\frac{\zeta_2}{\zeta_1}}e^{-Delta}$
$M=-\frac{H_0}{2}r_2^2(1-\frac{2}{\zeta_2})$
这里r1和r2分别为空心柱体的内、外半径，d=r2-r1为柱壁厚度，ζ=r/δ(r1≤r≤r2)，Δ=d/δ，δ=δ0/ψ，δ0为大样品弱磁场穿透深度，ψ是有序参量。显然此时H1→0，M→-H0r22/2，样品可用作磁屏蔽体。当$\zeta_1\gt\gt1$，$\Delta\lt\lt1$时，则
H1=H0/(1 ζ1Δ/2)，
M=-H0r23[1-(1 ζ1Δ/2)-1]。
若$\zeta_1\Delta\gt\gt1$，则$H_1\lt\ltH_0$或H1≈0。所以，虽然$d\lt\lt\delta$，但磁场几乎为薄壁所屏蔽而难于透入空心，称ζ1Δ/2为横向磁场中空心长圆柱体的屏蔽因子。当$\zeta_1\Delta\lt\lt1$时，则H1≈H0，磁场穿透薄壁而均进入空腔，失去屏蔽作用，此时M≈0。类似于实心小样品，由GL理论可求出薄壁样品的临界磁场HK1，HK，HK2和临界尺寸等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条