1) glow discharge sputtering equipment
辉光放电溅射设备
2) glow discharge sputtering
辉光放电溅射
1.
The crystal growth by glow discharge sputterings and ion beam sputterings and thecrystal epitaxy are introduced.
介绍了气相中晶体生长的方法,如辉光放电溅射法和离子束溅射沉积法以及晶体外延生长的方法。
4) Radio frequency glow discharge
射频辉光放电
1.
The deposition of diamond-like carbon films produced by radio frequency glow discharge of hydrocarbon gas was studied,and the effects of radio frequency voltage and deposition time on the thickness and the Vickers microhardness of films were investigated.
研究了碳氢气体通过射频辉光放电沉积类金刚石碳膜。
2.
Plasma chemical vapor deposition in silane radio frequency glow discharge is a main fabrication technology of hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H)films.
射频辉光放电硅烷等离子体化学汽相沉积是制备氢化非晶硅薄膜的主要工艺技术。
3.
This paper reports that a heated and tuned Langmuir probe has been used on the measurement of the electron energy distribution function f(E), the mean electron energy and the electron concentration in radio frequency glow discharge plasma, and gives a systemic analysis about the effect of the technology parameters on the electron character in plasma space.
本文采用加热的调谐单探针研究了射频辉光放电等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统地分析了各工艺参量对于等离子体空间电子特性的影响。
5) RF glow discharge
射频辉光放电
1.
Optical emissiom spectra of SiH 4 rf glow discharge were measured by OMA-4000.
采用OMA - 4 0 0 0测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱 ,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。
6) RF glow-discharge method
射频辉光放电法
1.
c-Si∶H/a-Si∶H multilayers have been prepared with RF glow-discharge method in which two types of coupling electrodes are alternately changed periodically.
利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 。
补充资料：辉光放电处理
分子式：
CAS号：
性质：对难粘的聚烯烃类塑料表面的处理方法。在基材上或基材下的金属支承物上施加300～1000V的电压，使101Pa的真空室内的气体分子激发活化并吸向电极至基材的表面产生物理化学反应，使基材表面活化，增加黏结力。这种处理方法比电晕放电处理节省能量。
CAS号：
性质：对难粘的聚烯烃类塑料表面的处理方法。在基材上或基材下的金属支承物上施加300～1000V的电压，使101Pa的真空室内的气体分子激发活化并吸向电极至基材的表面产生物理化学反应，使基材表面活化，增加黏结力。这种处理方法比电晕放电处理节省能量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条