1) interstitial alloying element
间隙合金元素<冶>
2) ferroalloying element
铁合金元素<冶>
3) interstitial elements
间隙元素
1.
On influence of interstitial elements on Ti-Al liquidus;
氧、氮等间隙元素对钛铝合金液相线影响的研究
2.
These methods are following as:alloying,grain refinement,heat treatment,control of the interstitial elements,etc.
结合Ti3Al基合金室温塑性的主要影响因素,总结了Ti3Al基合金改善塑性的方法,这些方法包括:合金化、细化晶粒、热处理、控制间隙元素含量等。
4) Interstitial impurities
间隙元素
1.
According to the“Average Lattice”models of the empirical electron theory of solids and molecules,the effects of interstitial impurities on valence electron structure of intermediate phase are analyzed,the effects of interstitial impurities on some phase transformation in intermediate Ti-Al alloys are discussed.
根据余氏理论的平均晶胞模型，分析了间隙元素对Ｔｉ－Ａｌ系中间相价电子结构的影响，讨论了间隙元素对中间成分Ｔｉ－Ａｌ合金某些相变的影响。
6) Low Intersititial Element
低间隙元素
补充资料：超导元素及合金和化合物
到目前为止，人们已发现在正常压力下有28种元素、约5000种合金和化合物具有超导电性。
超导元素 表1给出了所有超导金属元素的临界温度和临界磁场（T=0K时）。正常压力下铌的临界温度是超导元素中最高的，T0=9.26K；元素中临界温度最低的是钨，T0=0.012K。
超导元素在周期表中的分布有如下的规律：①碱金属Li、Na、K、Ru、Cs和良导体 Cu、Ag、Au等一价元素均不是超导体；②Cr、Mn、Fe、Ni、Co等铁磁性或反铁磁性元素也都不是超导体;③超导元素的价电子数Z有下列关系:2〈Z〈8；④除个别例外，超导元素明显地可分为过渡金属和非过渡金属两个集团。在过渡金属中,Z为奇数的元素,T0较高。当Z=5和7时,T0出现峰值。对于非过渡金属，T0随Z 增大而单调地增高。
某些元素只有在高压下或低温底板上淀积为薄膜时才呈现超导电性。前者如Cs、Ba、Y、Ce、Si、Ge、P、As、Sb、Bi、Se、Te和Lu等；后者如Bi。在低温底板上淀积 W、Be、Ga、Al、In和Sn的薄膜，其T0与大块材料相比，都有较大的提高。值得强调的是，稀土元素La在150kbar压力下, 其T0高达12K。通常T0对少量杂质并不敏感，但磁性杂质（如Ir和Mo）会使T0降低，甚至使超导电性消失。
超导合金和化合物 表2中给出了一些合金和化合物的超导临界温度和临界磁场。
迄今具有最高临界温度的超导化合物是 Nb3Ge,T0=23.2K；Pb0.7Eu0.3Gd0.2(Mo6S8)的临界磁场最高,Hc2(0)约700kGs。Nb-Ti合金、Nb3Sn和V3Ga是目前最主要的实用超导材料。（根据1986年以前的资料）
此外，合金和化合物的超导电性还有一些引人注目的性质。例如，即使由非超导元素组成的一些化合物，像Au2Bi，GePt和CuS等，结果变成了超导体。而化合物ErRh4B4却存在着两个临界温度,在第一个临界温度Tc1≈8.55K，它变为超导体，而随着温度的继续降低,在第二个临界温度Tc2≈0.9K时，又从超导态过渡到正常态。
参考书目
管惟炎、李宏成、蔡建华、吴杭生等著：《超导电性·物理基础》，科学出版社，北京，1981。
超导元素 表1给出了所有超导金属元素的临界温度和临界磁场（T=0K时）。正常压力下铌的临界温度是超导元素中最高的，T0=9.26K；元素中临界温度最低的是钨，T0=0.012K。
超导元素在周期表中的分布有如下的规律：①碱金属Li、Na、K、Ru、Cs和良导体 Cu、Ag、Au等一价元素均不是超导体；②Cr、Mn、Fe、Ni、Co等铁磁性或反铁磁性元素也都不是超导体;③超导元素的价电子数Z有下列关系:2〈Z〈8；④除个别例外，超导元素明显地可分为过渡金属和非过渡金属两个集团。在过渡金属中,Z为奇数的元素,T0较高。当Z=5和7时,T0出现峰值。对于非过渡金属，T0随Z 增大而单调地增高。
某些元素只有在高压下或低温底板上淀积为薄膜时才呈现超导电性。前者如Cs、Ba、Y、Ce、Si、Ge、P、As、Sb、Bi、Se、Te和Lu等；后者如Bi。在低温底板上淀积 W、Be、Ga、Al、In和Sn的薄膜，其T0与大块材料相比，都有较大的提高。值得强调的是，稀土元素La在150kbar压力下, 其T0高达12K。通常T0对少量杂质并不敏感，但磁性杂质（如Ir和Mo）会使T0降低，甚至使超导电性消失。
超导合金和化合物 表2中给出了一些合金和化合物的超导临界温度和临界磁场。
迄今具有最高临界温度的超导化合物是 Nb3Ge,T0=23.2K；Pb0.7Eu0.3Gd0.2(Mo6S8)的临界磁场最高,Hc2(0)约700kGs。Nb-Ti合金、Nb3Sn和V3Ga是目前最主要的实用超导材料。（根据1986年以前的资料）
此外，合金和化合物的超导电性还有一些引人注目的性质。例如，即使由非超导元素组成的一些化合物，像Au2Bi，GePt和CuS等，结果变成了超导体。而化合物ErRh4B4却存在着两个临界温度,在第一个临界温度Tc1≈8.55K，它变为超导体，而随着温度的继续降低,在第二个临界温度Tc2≈0.9K时，又从超导态过渡到正常态。
参考书目
管惟炎、李宏成、蔡建华、吴杭生等著：《超导电性·物理基础》，科学出版社，北京，1981。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条