2) crystal growth boundary layer
晶体生长边界层
3) crystal interface
晶体界面
1.
By analyzing the structure of catalyst crystal,the effect of temperature on the lattice structure of catalyst metal and the solubility and diffuse velocity of carbon in catalyst,the effect of other elements added in catalyst metal on the activity of carbon and the effect of separating energy,crystal interface etc.
通过对催化剂晶体结构的分析,讨论了温度对催化剂金属晶格结构的影响,温度对催化剂中碳的溶解度与扩散速度的影响;催化剂金属中其他元素的加入对碳活度的影响,以及析出能量、晶体界面等对碳纳米管生长的影响。
4) Epitaxial-Growth Mesa Transistor
晶膜生长台面晶体管
5) interface growth
界面生长
1.
A method,homogeneous reaction and interface growth,has been used to fabricate nano-materials.
采用均相反应界面生长法成功地制备了多种形貌的纳米铜,讨论了界面生长法制备纳米粒子的机理,考察了界面生长及反应温度的改变对产物形貌的影响。
6) growing interface
生长界面
1.
Auger electronic energy spectrum was applied in the paper to analyze the metallic film surface of growing interface of diamond monocrystal and fine Auger spectrum of adjacent carbon atom,as well as Auger spectrum structure of the surroundings and surface of diamond monocrystal.
用A uger电子能谱技术分别进行金刚石单晶生长界面的金属膜表面及附近碳原子的精细A uger谱分析、金刚石单晶附近及其表面的A uger谱精细结构分析。
2.
Furthermore,the crystal morphology and the growing interface were also discussed.
此外,我们对晶体的外形和生长界面作了讨论。
补充资料：晶体生长界面处的溶质边界层
晶体生长界面处的溶质边界层
solute boundary layer at the crystal growth interface
晶体生长界面处的溶质边界层solute boundarylayer at the er邓tal盯owth interfaee生长界面前沿流体中溶质分布不均匀的一薄流体层。它与晶体生长过程的溶质分凝和流体中的溶质传输有关。 晶体在掺有溶质的流体相中生长，若溶质的平衡分凝系数k。<1(图a)，于是在生长过程中，溶质被不断地排出，若排出的溶质不能及时传输到大块流体中，使溶质均匀分布，则在生长界面附近的熔体中形成溶质富集、浓度变化的溶质边界层。对于k。>l的溶质，则如图b，它将形成溶质贫化的溶质边界层。图中S表示晶体，L表示溶体，边界在0点，炙为边界层厚度，c为溶质浓度。浴质边界层 流体中溶质传输存在两种机制:①由溶质浓度梯度引起的扩散传输;②由温度梯度引起的自然对流及晶体或柑涡旋转产生搅拌作用所引起的强迫对流的对流传输。精确求解运动流体对浓度场的影响是困难的。引入边界层近似，可以把问题简化。假使在溶质浓度边界层氏内，扩散是溶质传输的唯一机制，在边界层之外，溶质传输机制是对流，由于对流的搅拌作用，%26以外的大块流体中溶质分布是均匀的。根据以上边界层近似，对流传输对溶质浓度场的影响，归结为边界层宽度灸的变化。 利用边界层近似，通过数值计算满足边值条件的溶质传输方程，得到昆的表达式 炙=1 .6。‘，6Dll3田一22式中p为溶液的运动粘滞系数;刀为溶质扩散系数，是溶液系统的物质常数;。是晶体旋转角速度，它愈大，强迫对流的搅拌作用就愈强，溶质边界层厚度就愈薄。(洪静芬)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条