1) diffused layer resistance
扩散层电阻
2) Diffused Resistor
扩散电阻
1.
A Method of Consistence Improvement for Diffused Resistors in Silicon Sensors;
提高扩散硅压力传感器扩散电阻一致性的有效方法
2.
Diffused resistor model under ESD stress in linear,saturation,multiplication and snapback,and secondary breakdown regions was analyzed.
对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析。
3) diffusion barrier layer
扩散阻挡层
1.
Therefore, a diffusion barrier layer between copper interconnect and Si device is necessary.
为了防止Cu扩散进Si器件中引起器件性能受损以及提高Cu与Si、SiO2的粘附性，在Cu互连线外包裹一层扩散阻挡层是工艺中必不可少的步骤，而在增强阻挡层的阻挡效果、了解失效机制、改进工艺方法等方面的研究对于提高互连可靠性起到十分重要的作用。
4) diffusion barrier
扩散阻挡层
1.
Effect of bias on composition and microstructure of Zr-Si-N diffusion barrier;
磁控溅射偏压对Zr-Si-N扩散阻挡层组织结构的影响
2.
Effect of diffusion barrier on surface morphology and structure of Cu-Zr alloy films;
扩散阻挡层对Cu-Zr合金膜表面形貌与结构的影响
3.
Some considerations of selecting Co diffusion barriers in synthesis of diamond on cemented carbide substrate containing Co are given.
通过对Ｃｏ扩散阻挡层在ＣＶＤ过程中冶金行为的理论分析，建立了计算Ｃｏ扩散阻挡层临界厚度δ临的数学模型。
5) resistance diffusion soldering
电阻扩散焊
1.
It has been pointed out that the best method at present is the resistance diffusion soldering of copper and low carbon steel on the basis of the potential differece theoty.
对用氧-乙炔钎焊、电阻钎焊，铜与低碳钢电阻扩散焊进行了具体的探讨，指出了利用电位差进行铜与低碳钢电阻扩散焊是较好的焊接方法。
6) resistor,diffused
扩散电阻器
补充资料：薄层电阻测量技术
薄层电阻是指一块正方形薄层沿其对边平面方向的电阻,单位为Ω／□（图1）。若正方形薄层的边长为l，厚度为xj，截面积为A,平均电阻率为，薄层电阻Rs为
由上式可知，薄层电阻只与薄层材料的平均电阻率及其厚度有关，与方块的边长无关。
经常通过外延生长、杂质扩散工艺或离子注入掺杂工艺在单晶衬底上形成一层异型薄层(如在N型衬底上形成P型层或在P型衬底上形成N型层)，或通过真空蒸发工艺、溅射工艺在绝缘材料上覆盖一层金属薄膜。这些结构的薄层电阻值在半导体器件和集成电路生产中都是需要受到精确控制的重要工艺参数。半导体薄层电阻的大小取决于薄层中掺入杂质的情况。当杂质分布形式确定后，通过测量薄层电阻就能推算出表面杂质浓度。
在半导体工艺中，广泛使用四探针法测量薄层电阻（图2）。四个针尖排在一直线上，测量时电流由外侧两根探针流经薄层（因薄层与衬底的掺杂型号相异，电流基本上不通过衬底），并用两根内侧探针测量电压。探针的间距相等,均为s。当薄层厚度xj<时，可算出
式中U为电压值（伏）；I为电流值（安;）C为修正系数，当样品的尺寸远大于s时，C =4.532。
在硅平面工艺中，往往通过一些专门设计的测试图形来检测薄层电阻。这些图形形成在芯片边缘，或者专门的测试片上（与其他参数的测试图形一起），它们和集成电路芯片同时经历各项工艺步骤。通过这样一些测试图形测得的薄层电阻，更加准确地反映器件和电路中的实际情况。若在大圆硅片上作成布满测试图形的阵列，还可得到整个圆片上薄层电阻值分布的均匀性。
图3为矩形条的薄层电阻测试图形。有阴影线的方块处为金属化的欧姆接触。电流I由外侧的两处接触通过条状薄层,中间的两处接触用于测量电压U。矩形条的宽度W以及产生电压降U 的一段长度L均可测量。根据薄层电阻的定义，可得
条状测试结构与单块集成电路中的电阻器的情况相似。
正方形范德堡测试结构中（图4），正中是需要测量的正方形薄层。测量时，从任一边的两个欧姆接触点通入电流I,从对边的两个欧姆接触点测量电压U。由于图形的高度对称,若在此局部范围内薄层电阻的平面分布均匀，则薄层电阻值Rs为
通过对换电压和电流测试点，并用测得的数据求出平均值就能消除因图形不对称所引起的误差。
由上式可知，薄层电阻只与薄层材料的平均电阻率及其厚度有关，与方块的边长无关。
经常通过外延生长、杂质扩散工艺或离子注入掺杂工艺在单晶衬底上形成一层异型薄层(如在N型衬底上形成P型层或在P型衬底上形成N型层)，或通过真空蒸发工艺、溅射工艺在绝缘材料上覆盖一层金属薄膜。这些结构的薄层电阻值在半导体器件和集成电路生产中都是需要受到精确控制的重要工艺参数。半导体薄层电阻的大小取决于薄层中掺入杂质的情况。当杂质分布形式确定后，通过测量薄层电阻就能推算出表面杂质浓度。
在半导体工艺中，广泛使用四探针法测量薄层电阻（图2）。四个针尖排在一直线上，测量时电流由外侧两根探针流经薄层（因薄层与衬底的掺杂型号相异，电流基本上不通过衬底），并用两根内侧探针测量电压。探针的间距相等,均为s。当薄层厚度xj<
式中U为电压值（伏）；I为电流值（安;）C为修正系数，当样品的尺寸远大于s时，C =4.532。
在硅平面工艺中，往往通过一些专门设计的测试图形来检测薄层电阻。这些图形形成在芯片边缘，或者专门的测试片上（与其他参数的测试图形一起），它们和集成电路芯片同时经历各项工艺步骤。通过这样一些测试图形测得的薄层电阻，更加准确地反映器件和电路中的实际情况。若在大圆硅片上作成布满测试图形的阵列，还可得到整个圆片上薄层电阻值分布的均匀性。
图3为矩形条的薄层电阻测试图形。有阴影线的方块处为金属化的欧姆接触。电流I由外侧的两处接触通过条状薄层,中间的两处接触用于测量电压U。矩形条的宽度W以及产生电压降U 的一段长度L均可测量。根据薄层电阻的定义，可得
条状测试结构与单块集成电路中的电阻器的情况相似。
正方形范德堡测试结构中（图4），正中是需要测量的正方形薄层。测量时，从任一边的两个欧姆接触点通入电流I,从对边的两个欧姆接触点测量电压U。由于图形的高度对称,若在此局部范围内薄层电阻的平面分布均匀，则薄层电阻值Rs为
通过对换电压和电流测试点，并用测得的数据求出平均值就能消除因图形不对称所引起的误差。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条