1) surface-barrier diode
面垒二极管
2) surface barrier diode
表面势垒二极管
3) surface barrier diode
表面阻挡二极管,表面势垒二极管
4) surface barrier diode
表面阻挡层二极管;表面势垒二极管
6) intrinsic-barrier diode
本征势垒二极管
补充资料:金-硅面垒探测器
分子式:
CAS号:
性质: 是一种基于固体电离作用、用于探测α粒子和β粒子的探测器。制作方法是在n型硅表面用化学方法进行蚀刻,使该表面发生自然氧化,产生大量空穴,形成p层,然后用蒸发方法在表面上淀积一层金作欧姆接触(即纯粹的电阻接触)。对重的带电粒子的能量分辨率约为10~20kev。
CAS号:
性质: 是一种基于固体电离作用、用于探测α粒子和β粒子的探测器。制作方法是在n型硅表面用化学方法进行蚀刻,使该表面发生自然氧化,产生大量空穴,形成p层,然后用蒸发方法在表面上淀积一层金作欧姆接触(即纯粹的电阻接触)。对重的带电粒子的能量分辨率约为10~20kev。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条