1) planar diode
平面型二极管
2) Planar diode
平面二极管
1.
The effects of bipolar flow on the performance of planar diode are numerically studied in this paper.
首先分析、讨论了双极性流对平面二极管发射电流的影响,并利用PIC程序对平面二极管中的双极性流问题进行了数值比对;在此基础上模拟研究了具有径向发射特点的低阻抗高功率微波器件MILO中的双极性流问题,得出此类低阻抗器件的规律性认识:双极性流的出现使器件偏离最佳工作点,使输出功率和效率降低,电压越高器件偏离最佳工作点就会越远,当电压高到一定值以后会使器件的工作点移至B—H曲线以下,器件处于过绝缘状态,不能正常工作。
3) planar resonant tunneling diodes
平面型共振隧穿二极管
1.
To resolve the undercut problem in the fabrication of conventional resonant tunneling diodes,a method was proposed for the fabrication of planar resonant tunneling diodes in N~+GaAs substrate through ion implant.
为了解决传统台面型共振隧穿二极管制作过程中横向钻蚀问题,提出了一种采用离子注入法在N+GaAs衬底上制作平面型共振隧穿二极管,通过离子注入对器件之间进行隔离,取代了台面制作工艺中的通过湿法腐蚀隔离器件的目的。
2.
In this thesis, the fabrication of planar resonant tunneling diodes and mesa-type resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of MOBILE(monostable-bistable transition logic element)circuit cell build up by planar resonant tunneling diodes, the measurement and analysis of series resistance of resonant tunneling diodes, and fabrication of resonant tunneling transistor are studied.
本论文包括了平面型共振隧穿二极管的研制、台面型共振隧穿二极管的制作、由平面型共振隧穿二极管组成的MOBILE单元电路设计与测试、共振隧穿二极管的串联电阻的分析与测试以及共振隧穿晶体管的研制等研究内容。
4) PRTD
平面型共振隧穿二极管
1.
Planar resonant tunneling diode(PRTD)based on n+ GaAs substrate and self-aligned B implantation was fabricated.
采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻区表观正阻的影响。
5) planar photodiode
平面型光敏二极管
6) planar epitaxial passivated diode
平面型外延钝化二极管
补充资料：平面型铁氧体
分子式：
CAS号：
性质：超高频范围内使用的一类软磁铁氧体。具有磁铅石型结构。其化学式为BaMFe16O27，BaMFe12O22，BsMFe24O41，可分别简写为MW，MY，MZ（M为钴、锌、镍、锰、镁等二价金属离子或他们的混合物）。他们的特点是在高频磁场作用下，平面偏振的电磁波在铁氧中按一定方向传播时，偏振面会不断绕传播方向旋转，即易磁化轴在偏振平面上，截止频率较高。饱和磁化强度Ms0.16～0.339T。用这类铁氧体已制成频率高达2GHz以上、磁导率与品质因数的乘积，μQ值超过100的产品。主要用于扫频磁芯、电调电感器、宽频变压器等。
CAS号：
性质：超高频范围内使用的一类软磁铁氧体。具有磁铅石型结构。其化学式为BaMFe16O27，BaMFe12O22，BsMFe24O41，可分别简写为MW，MY，MZ（M为钴、锌、镍、锰、镁等二价金属离子或他们的混合物）。他们的特点是在高频磁场作用下，平面偏振的电磁波在铁氧中按一定方向传播时，偏振面会不断绕传播方向旋转，即易磁化轴在偏振平面上，截止频率较高。饱和磁化强度Ms0.16～0.339T。用这类铁氧体已制成频率高达2GHz以上、磁导率与品质因数的乘积，μQ值超过100的产品。主要用于扫频磁芯、电调电感器、宽频变压器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条