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1)  deep submicron chip
深亚微米片
2)  deep sub-micron
深亚微米
1.
A novel bus coding scheme for low power in deep sub-micron technologies;
一种深亚微米工艺下的总线低功耗编码方案
2.
With the advent of the era of deep sub-micron IC, the feature size on the IC chip is shrunk to nanometers.
伴随着深亚微米集成电路时代的来临,芯片的特征尺寸已经缩小到纳米尺度。
3)  deep submicron
深亚微米
1.
Analyzing short channel effects in deep submicron MOSFET s using variational method;
深亚微米MOSFET短沟效应的变分法分析
2.
The deep submicron technology presents lots of new challenges to the physical design of VLSI and new techniques are needed in the back-end design flow.
深亚微米下芯片的物理设计面临很多挑战,特别是对于超大规模电路,在后端设计流程上要有新的方法。
3.
With development of the VLSI circuits towards the deep submicron and the ever-increasing density of integrated circuits,interconnection delay becomes a limiting factor for increasing device speed.
随着VLSI向深亚微米发展、集成电路密度不断提高,互连延迟成了加快器件速度的一个限制因素,由于互连延迟是由金属连线间的电阻及电容所产生的,因此萃取寄生参数的工作更显重要。
4)  deep-submicron
深亚微米
1.
PAE (Process Antenna Effect) is a key point in deep-submicron VLSI design due to its negative influence.
深亚微米超大规模集成电路(VLSI)中金属互连线的天线效应(PAE)将会严重影响芯片物理设计的结果,甚至造成设计的失败。
2.
18 μm CMOS low power Sigma-Delta ADC modulator,a new deep-submicron mixed-signal system design method is presented in this paper.
18μm CMOS工艺、低功耗Sigma-Delta ADC调制器(SDM)部分的设计研究,提出了一种深亚微米下混合信号处理系统的设计方法,论述了从系统级行为验证到电路级验证的设计流程,与传统流程相比,在行为级验证中采用了SIMULINK建模方法,在电路级的验证中,提出了从宏模型验证到晶体管级细电路验证这样一种新颖的设计方案,其中所提出的宏模型以6。
3.
This paper presents the causes of crosstalk in deep-submicron integrated circuit design and its impact on signal integrity, and discusses the analysis and solution of this problem.
本文介绍了深亚微米集成电路设计中串扰的成因及其对信号完整性的影响,论述了串扰分析和设计解决的一般方法,对于实际设计具有一定的理论指导意义和应用参考价值。
5)  DSM
深亚微米
1.
Static-Noise Margin Analysis on DSM SRAM Cell;
深亚微米SRAM存储单元静态噪声容限研究
2.
As the scale of integrated circuit enlarges and the speed increases, the back-end design in Deep Submicron (DSM) Technology has experienced a rapid development.
本文通过对传统大规模集成电路设计流程的优化,得到了更适合于深亚微米工艺集成电路的后端设计流程,详细介绍了包括初步综合、自定义负载线的生成、版图规划、时钟树综合、静态时序分析等,并通过前端和后端设计的相互协作对大规模集成电路进行反复优化以实现设计更优。
3.
In this paper the existing technology status of SoC and FPGA is presented in DSM.
文章论述当前深亚微米工艺条件下SoC、FPGA技术发展现状。
6)  deep sub micron
深亚微米
1.
Based on the hydrodynamic energy transport model, the short channel effect immunity in the deep sub micron grooved gate PMOSFET is studied together with the influences of substrate and channel doping density on that effect immunity.
基于流体动力学能量输运模型 ,首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用 ,接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响 ,同时与相应平面器件的特性进行了对比 。
2.
Based on the hydro dynamics energy transport model,the influence of channel and substrate doping densities on hot carrier effect immunity in deep sub micron grooved gate PMOSFET is studied and explained in terms of device interior physics mechanism.
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici研究了深亚微米槽栅 PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响 ,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。
3.
Based on the hydro dynamic energy transport model,the influences of structure parameters on the hot carrier effect immunity and the suppression of short channel effect in deep sub micron grooved gate PMOSFET are studied and explained in terms of the device interior physics mechanism.
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究 。
补充资料:氨酚伪麻片(日片)与氨苯伪麻片(夜片)
药物名称:氨酚伪麻片(日片)与氨苯伪麻片(夜片)

英文名:Compound paracetamol Combination Tablets

汉语拼音:

主要成分:日服片:对乙酰氨基酚、盐酸伪麻黄碱;夜服片:对乙酰氨基酚、盐酸伪麻黄碱、盐酸苯海拉明。

性状:日服片为白色,夜服片为蓝色。

药理作用:动物试验表明本品具有解热、镇痛、镇静作用,另可降低鼻气道阻力及粘膜血管的通透性。

药代动力学:

适应症:用于治疗感冒引起的发热、头痛、四肢疼痛、鼻塞、流涕、喷嚏等症状。

用法与用量: 白天服日服片,每日二次(8小时一次),每次1~2片。
晚上睡前服用夜服片,一日一次,每次1片。

不良反应:偶见。为轻度口干、口苦、上腹不适、困倦、多汗等。

禁忌症:对(包括日服片和夜服片)组分过敏者禁用。

注意事项: 1.每日不超过8片,疗程不超过7天。超量服用可产生头晕、失眠、神经质等症状。
2.心脏病、高血压、甲亢、糖尿病、青光眼、肺气肿等呼吸困难、前列腺肥大伴排尿困难者不宜服用。
3.避免与降压药或抗抑郁药同时服用,服药期间避免饮酒。
4.孕妇、哺乳期妇女使用前应咨询医生。
5.服用本品若症状未改善或伴高热,应及时停药。
6.对麻黄碱药理作用敏感者及老年人慎用。12岁以下儿童不宜服用。
7.夜用片服药期间可引起头晕、嗜睡,故不宜驾车、高空作业及操纵机器。

规格:每片含 日服片 夜服片
对乙酰氨基酚 0.325g 0.5g
盐酸伪麻黄碱 30mg 30mg
盐酸苯海拉明

贮藏:遮光,密闭保存。

有效期:暂定二年。

处方药:
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条