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1)  EIFET(bipolar field-effect transistors)
双极型场效应晶体管
2)  BJMOSFET
双极MOS场效应晶体管
1.
The high frequency equivalent model of Bipolar junction MOS field effect transistor (BJMOSFET) was proposed.
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性。
2.
After analyzing the advantage and disadvantage of the MOSFET and BJT a new kind of device BJMOSFET is introduced, which has large capacity of current and large power output just like the BJT, and the large input resistant just like (MOSFET.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。
3)  bipolar photo gate FET
双极光栅场效应晶体管
4)  biFET
双极性场效应晶体管
5)  BIFET BIpolar Field Effect Transistor
双极场效应晶体管
6)  bipolar junction fet technology
双极结型场效应晶体管工艺
补充资料:结型场效应晶体管


结型场效应晶体管
junction field effect transistor

  妇exingchongx}OOying妇ngtjgUOn结型场效应晶体管(j unction field effecttransistor)利用半导体PN结反向偏置条件下的电场效应进行工作的场效应半导体器件。其特点是栅源间的电阻高,可以达到10?n以上,它是电压控制器件,所需控制电流极微,且受温度、辐射等外界条件影响小,广泛应用于放大电路和开关电路中,也可做为压控电阻使用。 结构和工作原理结型场效应晶体管的结构示意图如图1〔a)所示。在一块N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区(用P+表示),形成两个PN结。从两边P十型区引出两个欧姆接触电极并连在一起称为栅极g,在N型本体材料的两端各引出一个电极,分别称为源极S和漏极d。中间的N型区是载流子通过漏、源两极的通路,称为导电沟道。具有这种结构的结型场效应图IN沟道结型场 效应晶体管(a)结构示意图;(b)图形符号晶体管称为N沟道管,图1(b)是它的图形符号。还有一种与它对偶的结构形式称为P沟道管,它的图形符号,栅极箭头应向外。沟道的上下两侧与栅极分别形成PN结,改变加在PN结两端的反向偏置电压,就可以改变导电沟道的宽度,实现以改变栅源电压uGs来控制电流£D的目的。uGs值越负,导电沟道越窄,当uGs加大到一定值时,导电沟道被夹断,坛、0,这时的uGs称为夹断电压:印。 特性曲线当。Ds一定时,uGs和场之间的关系称fD,nl产11〕55“Ds二常数为转移特性,见图2。在脚簇uGs簇0范围内,iD随uGs的增加(负值减少)近似按平方律上升,故有;_;卜_竺{ \祝P/uGs,V图2转移特性式中IDs。称为饱和漏极电流。这一特性常被用来作为混频调制和检波。转移特性上工作点的斜率,称为跨导gm,它是表征结型场效应晶体管放大能力的一个重要参数,单位为毫西(ms)。此外,尚有漏极特性(亦称输出特性),它描述以uGS为参变量时,而和uDs之间的关系,见图3。飞从图中可见,管子的工作状态可以分成三个区:①可变电阻区。该区的特点是uDs较小,扬几乎与uDs成线性关系增”加。增加的比值由uGs控可变电阻区“cs之OV恒流区一ZV』卫一4V 夹断区为s,v图3漏极特性制。这时结型场效应晶体管的d、s之间可以看成一个由电压匆s控制的可变电阻。②恒流区(也称饱和区)。曲线近似水平的部分是恒流区,uDs较大。该区的特点是in的大小受uGs控制,而当uDs增大时,扬只略有增加,因而可以把iD近似看成为一个受uGS控制的电流源。③夹断区。当uGS  
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