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1)  interstitial defect
填隙缺陷<光>
2)  interstitial defect
填隙缺陷
3)  interstitial imperfection
填隙式缺陷
4)  interstitial vacancy defect
填隙空位缺陷
5)  interstitial defect
间隙缺陷
6)  voids defect
气隙缺陷
1.
The results of electrical trees\' degradations test of samples which contain wedge shape voids defects inside show that partial discharge forms distinguished above can influence the electrical treeing degradation development, and there is a relation between the three degradation effect and the degradation state of insulation polymer.
施压时间对破坏痕迹影响的结果表明,局部放电会在含有气隙缺陷的绝缘材料中形成3种破坏效应,即热效应、化学腐蚀和机械应力作用,而楔形气隙模型试验研究局部放电破坏效应对电树枝生长过程影响的结果显示,局部放电的放电形式会影响材料的破坏状态,放电形成的破坏效应与电树枝生长状态之间具有一定的关系。
补充资料:填隙原子


填隙原子
interstitial atom

  填隙原子interstitial atom固溶体中填充在母相晶格中间隙位置的溶质原子。填隙原子在晶体中的位置与母相晶体结构有关。在面心立方晶体中,最大间隙位置为晶胞中的体心位置:冬冬冬:或棱线中点。00鲁」,~/,口口)J。’“J汁’“件~‘2 22“~’队~’J、,、‘以UZ“’它们在结构上是等效位置。这种间隙位置周围有6个原子,原子中心位于一个正八面体顶点,因而称为正八面,,J一~。_~~~小,‘~。。。1 11,。、一,_“体间隙位置。另一种间隙位置是[专宁令〕及结构上的厅’、’小比~“/碑,”,因、~~~‘4 44“~~’钾一“资等效位置,周围有4个原子构成一个正四面体,因而称为四面体间隙。在六角密排结构中,间隙位置也如同面心立方结构的一样,具有八面体和四面体两种间隙。在,,_、一一一一一.,一。,,一~~、。11八,决一汕二体心立方结构中,八面体间隙在面心〔音告0〕或棱线中厅一。一/J川,二”、四厅‘,’闷、一~“‘22”“~队~’,。八八1。一~~。l’n。一。11八。,甘,、仙,点〔00青〕,而四面体间隙在〔音夸0]及其等效位置。丁,,、‘“”2“”,’J~~一’一,的、一“24”~~’J‘”~~o在同一晶体结构中,填隙原子处在哪种间隙位置,其几何组态如何,取决于组态能量。以面心立方晶体为例,若填隙原子处在八面体间隙位置正中心,将周围原子稍加挤开,这就是体心组态(图a),它所产生的畸变具有球面对称性。若填隙原子沿<100>方向稍有偏离,并将晶格上的一个近邻原子也挤离了平衡位置,如图b所示,则形成两原子的对分填隙组态,这时所产生的畸变具有四角对称性。若填隙原子沿密排<110)方向,使(”十1)个原子挤占儿个原子的座位(图c),则称为挤列组态。理论计算表明,对分组态能量最低。 确定平衡填隙原子浓度与确定平衡空位浓度的方法(见空位)相同。设晶体具有可以引入填隙原子的间隙位置数为N,填隙原子数为、,填隙原子形成能为Q’,振动嫡为g。当”《N时,根据平衡时自由能最低原理可团┌──────────┐│一}筒矛袄 ││ ,人,--一仁争二一││ L. │└──────────┘面心立方晶体中的填隙原子a体心组态b对分组态。挤列组态求得平衡时填隙原子浓度C为。_邓_____,sr’、____,Q‘、七一灭一匕入p、万牙厂入P、一瘾丁,填隙原子形成能的计算主要需考虑填隙原子填入后周围的晶格畸变,其次还要考虑它对电子状态的影响,这是一个相当复杂的问题。据推断一般约为3eV,约为空位形成能的几倍。所以在相同温度下,晶体中平衡填隙原子浓度要比平衡空位浓度小得多。 如同空位一样,填隙原子对晶体物理性质也有重要影响。它可引起体膨胀,对传导电子产生附加散射,引起电阻增加等。可以通过检测某些物理量(如晶格常数、密度、电导和热导)作为某一变量(例如温度)的函数,推断出填隙原子等缺陷的重要信息。也可以用对某种外加微扰的反应如电子自旋共振、电子一核双共振{E NDOR)、光吸收、荧光及内耗等来研究缺陷本身。对于绝缘体和半导体晶体,缺陷能级位于基体的带隙中,磁共振和光学技术通常能详细描述缺陷同环境的相互作用。
  
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参考词条