1) phased memory
相位存储器
2) bit-serial associative memory
位串行相连存储器
3) bit-parallel associative memory
位并行相联存储器
4) associative memory
相联存储器
1.
One is that the associative memory is not addressed via address,another concerns the calculation of the bandwidth of multi-module cross addressing memory.
长期以来,国内流行的某些计算机组成原理方面的教材存在两个错误,其一是相联存储器不按地址寻址的问题,其二是多模块交叉编址存储器带宽的计算问题。
5) phase change memory
相变存储器
1.
Technology and status of embedded phase change memory;
嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状
2.
Storage characteristics of phase change memory cells based on Sn-doped Ge_2Sb_2Te_5;
基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能
3.
Multiple-state storage capability of nitrogen-doped Ge_2Sb_2Te_5 film for phase change memory;
氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能
6) annex memory,associated memory,relational memory
相关存储器
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)
随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM
s日1}}Cunq日Ct旧choql随机存取存储器random aeeess memoryRAM)见半导体存储器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条