1) anaerobic organisms
嫌气有机体
2) organic gas
有机气体
1.
Relationships between the structures and the anesthetic activities of organic gas;
有机气体麻醉活性的构效关系研究
2.
Relationships between Quantitative Structures and Activities of Organic Gas;
有机气体麻醉活性的QSAR研究
3.
The adsorption capability of activated carbon C40/4 for some organic gases,such as acetone,toluene and methylene dichloride,was studied using micropore filling theory.
用微孔填充理论研究了活性炭C40/4对丙酮、甲苯、二氯甲烷有机气体的吸附性能,测试了该活性炭对3种有机气体在不同温度下(288。
3) volatile organic compounds
有机气体
1.
A new method combining the gas sensor’s dynamic detection and neural network is described for the rapid identification and determination of volatile organic compounds in ambient air.
研究了气体传感器动态检测结合神经网络识别空气中有机气体的新方法。
2.
A new dynamic measuring method for the rapid identification and determination of volatile organic compounds in ambient air is described.
介绍了气体传感器动态检测结合神经网络识别空气中有机气体的新方法。
3.
The paper mainly researched response of carbon nanotubes to volatile organic compounds (VOCs).
本文主要研究基于碳纳米管的气敏传感器对有机气体的响应,并且尝试了胺基团化学改性碳纳米管和碳纳米管聚吡咯复合物等,观察其气敏影响,发现它们虽然对气敏响应的灵敏度改变不大,但是对苯、甲苯、二甲苯、甲醛的响应各有不同改变,为之后构造传感器阵列识别气体提供了基础。
4) gasitication
嫌氧气体发酵(法)
5) Volatile biogenic sulfur
有机硫气体
补充资料：金属有机化学气相外延
金属有机化学气相外延
metal-organic chemical vapour phase epitaxy
J Jnshu youjr huoxueq一x旧ng wolyan金属有机化学气相外延(metal一organicchemieal vapour epitaxy，M()VpE)娜种半导体薄膜材料制备的方法，也用于制备金属或化合物薄膜。它的原理是以金属有机化合物和烷类化合物的热解和化合等化学反应为基础的。以生长GaAs薄膜为例，其反应为: CH3Ga(v)+AsH3(v)一GaAs(s)+3CH4(g) 但其机理包括化学动力学和流体力学等则较复杂。因为MOVPE的生长条件，例如生长温度、MO源的分压、Ga/AS比以及气体流速等都能影响外延层的性能。 MOVPE与分子束外延(MBE)一样已成为生长化合物半导体薄膜的重要方法。其原因是:(l)在MOCVD过程中只要置换或增加有机源和烷类，就可以在单温区的炉中生长各种组元和组分的异质和同质化合物薄膜，例如GaAs，GaAIAs、GalnAssb;HgedTe等薄膜;(2)MOVPE可以获得超高纯和超薄层的薄膜。最近MOCVD GaAs的脚8K和室温浓度分别已达33500oem2/(V·s)和1·6只10‘3/em‘，并已制得界面宽度为0.15nm半导体超晶格和量子阱结构薄膜;(3)MOCVD可以生长含铝和含磷的多元化合物薄膜，这些难以用气相外延(VPE)和MBE方法制得;(4)MOvPE可以大规模生长低价格的新型薄膜。用市售MOVPE设备在一炉内已生长出20片50mm的GaAs圆片，厚度不均匀性簇8%。 从60年代末以来，MOVPE主要集中在化合物半导体薄膜生长方面。80年代开始，它为“能带工程”研制了许多新型薄膜结构材料，其中主要有应变层超晶格、多量子阱、调制掺杂、原子层和原子掺杂以及硅衬底上生长l一v或卜班族化合物的异质薄膜等。最近也报道了MOvPE生长四元高温超导薄膜的良好结果。利用这些材料已制成叠层和双结串联太阳电池、应变层多量子阱激光器、高速电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管、超晶格长波长红外探测器、光电集成电路等。 为了适应新型器件和集成电路的发展，研制新的金属有机源或前置体源，以降低毒性或扩大MOVPE薄膜的品种，开展低压、激光和等离子MOVPE薄膜生长，以控制精确图形和突变界面;进行原子层和原子掺杂外延，以获得高质量的超晶格和量子阱器件等已成为目前MOVPE薄膜生长的方向。 (彭瑞伍)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条