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1)  amorphous implantation
对非晶半导体离子注入
2)  ionic crystal semiconductor
离子晶体半导体
3)  amorphous fast ionic conductor
非晶快离子导体
1.
The crystallization process of amorphous fast ionic conductor 40Li2O-12P2O5-48V2O5 is investigated with the positron annihilation technique, differential thermal analysis and X-ray difraction.
用正电子湮没技术、差热分析和X射线衍射等方法研究了40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程。
4)  double implanted mos
双重离子注入金属氧化物半导体
5)  ion implanted mos
离子注入金属氧化物半导体
6)  ion implanted mos device
离子注入金属氧化物半导体器件
补充资料:半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)


半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
electrical conductivity of semiconductor

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