1) barrier type ccd
势垒型电荷耦合器件
2) barrier type ccd
势垒型电荷耦合掐
3) Intensified charge coupled device
增强型电荷耦合器件
4) junction ccd
p n结型电荷耦合器件
5) charge-coupled device
电荷耦合器件
1.
Hg-Lamp-Based Fluorescence Charge-Coupled Device Detection in Microchip Capillary Electrophoresis;
汞灯光源芯片毛细管电泳荧光电荷耦合器件检测系统
2.
0 and applies it to extract the feature of laser welding image,which is shot by the charge-coupled device(CCD) video camera.
0开发了焊缝图像采集及处理系统,对电荷耦合器件(CCD)摄像头获取的焊缝激光条图像进行特征提取,分别采用两套不同的识别方案对激光条图像进行处理。
3.
polychromator has been developed by way of refitting a plane grating monochromator with a charge-coupled device(CCD) array receiver.
将一台平面光栅单色仪改装成多色仪，利用线阵电荷耦合器件作其接收元件，并通过计算机进行实时数据采集和图像处理。
6) CCD
电荷耦合器件CCD
1.
The principle about measuring fibre size based on changed coupled device(CCD)is introduced.
基于此研制了在线纤度仪,它以电荷耦合器件CCD为纤维直径的图像传感元件,以数字信号处理器DSP为图像处理器。
补充资料：势垒
势垒
Potential barrier
势垒(potential barrier) 包括了势能极大的一个区域.它阻挡粒子从其一边跑到另一边。按照经典物理学，为克服势垒.粒子必须具有超过势垒高度的能量。然而，量子力学表明.能量低于势垒高度的粒子也有一定概率穿透它。当粒子能量减少时.这一概率迅速减少这种势垒的例子有电子围绕原子的负场、排斥带止电粒子的原子核内的正电荷、由固定电荷分布产生的对固态装置中出现的电子或空穴的势垒。 在原子核情形下.如果轰击粒子带正电荷十z，内它将受到库仑静电排斥·这相当厂一个随1/r变化的势能，其中r是至核中心的距离，z，是轰击粒子的原子序数，而尸是质子电荷。到原子核边缘以前.这个势垒(高度)不断增加，之后被核引力克服。这个库仑势垒的最高点在原子核表面，表达式是22，·。，/R，其中R是原子核半径，Z是核电荷数。对于质子，氖的势垒大约是4兆电子伏.而铀的势垒是17兆电子伏。在固体情况下，在半导体和金属的内界面间或不同类参杂(受主或施主)半导体区域之间，势垒上升。固体中这种势垒的存在会引起金属半导体接触时整流效应和半导体的晶体放大效应。势垒高度以电子伏而不是兆电子伏来度量，典型的是原子散射·I参阅.‘原子核结构”(nuclear“ructure)、一半导体”(semieonduetor)条. 〔斯特拉顿(R.Stratton)撰〕
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条