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1)  crystalline semiconductor
晶体半导体
2)  semiconducting crystal
半导体晶体
3)  semiconductor wafer
半导体晶片
4)  amorphous semiconductor
非晶半导体
1.
The structure model in amorphous semiconductor was analysed and probed into in this paper,and confirm the structure of middle and short range order in amorphous semiconductor by means of experiment.
以一定的结构模型分析探讨并从实验上证实了非晶半导体中短程序、中程序的存在。
5)  semiconducter microcystallies
半导体微晶
6)  Nano-crystalline semiconductor
纳晶半导体
补充资料:半导体晶体结构


半导体晶体结构
crystal structure of semiconductor

  半导体晶体结构crystal strueture of semieon-duCtor半导体晶体内部原子或离子在空间上有规则的周期性的排列。不同的半导体材料有不同的晶体结构。常见的应用最广的元素半导体和二元化合物半导体的晶体结构,主要是金刚石型、闪锌矿型和纤锌矿型,还有少量是氯化钠型。一些重要的半导体材料的晶体结构见表。有些材料在不同条件下可以有不同的晶体结构。晶体结构对材料的某些物理、化学性能有较大的影响。 l要半导体材料的晶体结构┌────┬────────────────┐│晶体结构│重要半导体材料 │├────┼────────────────┤│金刚石型│C(金刚石)、51、Ge、灰一Sn │├────┼────────────────┤│闪锌矿型│BN.、BP、AIP、GaP、InP、BAs、 ││ │A IAs、GaAs、InAs、BSb、AISb、 ││ │Gasb、Insb、ZnO.、ZnS中,CdS*、 ││ │HgS.、Znse,Cdse.、Hgse、ZnTe、 ││ │CdTe、HgTe、SIC │├────┼────────────────┤│纤锌矿型│BN中、A IN、GaN、InN、ZnO.、 ││ │ZnS*、CdS*、HgS.、Cdse* │├────┼────────────────┤│氯化钠型│Cd()、PbS、Pbse、PbTe │└────┴────────────────┘*具有两种不同结构类型 图1金刚石结构的顶点上,呈四面体结构。闪锌矿结构与金刚石结构相似,不同之处在于这两套面心立方晶格分别由两种不同原子组成(图2)。每个原子各以4个异类原子为最近邻,它们处于四面体的顶点上,因此也有四面体结构,但不再具有 金刚石结构和闪锌矿结构属立方晶系。金刚石结构是由相同原子组成的两套面心立方晶格沿其空间对角线位移1/4的长度套构而成(图l)。任一原子都有4个最近邻原子,它们总是处在一个正四面体图2闪锌矿结构反演中心。纤锌矿结构与闪锌矿结构相近,也以四面体图3纤锌习结构1/2的长度套构而成(图4)。
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