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1)  dopant distribution
掺杂剂分布
2)  dopant distribution
掺杂分布
1.
Based on the mode field theory of passive fiber and rate equation of active fiber,the calculative method of effective mode area and extraction efficiency of fundamental mode for large mode area fibers with arbitrary refractive-index profile and dopant distribution of is presented.
从无源光纤的模场理论和有源光纤的速率方程理论出发,给出了任意折射率分布和掺杂分布光纤的有效模面积和基模提取效率的计算方法,并且通过数值计算对几种典型折射率分布和掺杂分布的光纤性能进行了分析和比较,说明复合折射率光纤与其他传统光纤相比,在百微米量级的大模面积光纤中更具有实用性。
3)  dopant profile
掺杂分布图
4)  dopant redistribution
掺杂再分布
5)  doping concentration distribution
掺杂浓度分布
1.
In order to improve the forward conduction characteristics of silicon semiconductor devices, a comprehensive study of the influences of boron diffusion, phosphorous diffusion, doping concentration distribution in P~+-P region of sintered Al-Mo electrode and the minority carrier life on the forward conduction characteristics is performed.
为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P~+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究。
6)  vertical impurity profile
垂向掺杂分布图
补充资料:掺杂剂
分子式:
CAS号:

性质:掺杂过程实质上是导电聚合物的一个氧化或还原过程,所使用的氧化或还原剂在掺杂过程中称为掺杂剂。具有氧化能力的掺杂剂称为p型掺杂剂,是电子接收体;相反,具有还原能力的掺杂剂称为n型掺杂剂,是电子给予体。主要p型掺杂剂包括以碘为主的卤族元素,卤族元素的高价态金属化合物和某些金属的高氯酸和硝酸盐。n型掺杂剂主要为以钠、钾、锂为代表的碱金属及其有机化合物。掺杂剂在使用过程中可以是气态、液态或者溶液态,其对应的掺杂过程分别称为气相掺杂、液相掺杂和溶液掺杂。 

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参考词条