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1)  double level polysilicon mos structure
双层多晶硅金属氧化物半导体结构
2)  double poly process
双层多晶硅栅金属氧化物半导体工艺
3)  poly squared cmos
双层多晶硅互补金属氧化物半导体
4)  polycrystalline silicon gate mos
多晶硅栅金属氧化物半导体
5)  UMOS
U形多晶硅栅金属氧化物半导体
6)  metal-oxide-semiconductor structures
金属氧化物半导体结构
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8

性质:暂无

制备方法:暂无

用途:用于轻、中度原发性高血压。

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