2) photolithographic mask
光刻用掩模
5) electron beam lithography
电子束光刻
1.
Principle of electron beam lithography and its application on the nanofabrication and nanodevice;
电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用
2.
Methods of proximity effect correction in electron beam lithography;
电子束光刻中邻近效应校正的几种方法
3.
Application of chemically amplified resists in electron beam lithography;
化学放大胶在电子束光刻技术中的应用
6) E-beam lithography
电子束光刻
1.
For fabricating X-ray mask of high line-density X-ray transmission gratings,the field stitching of E-beam lithography was analyzed when patterning high line-density gratings;by using pattern correction and low sensitive 950 k PMMA resist,the proximity effect of electron beam was effectively depressed when exposing thick resist spun on polyimide membrane.
为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响。
2.
We present an all-e-beam lithography(EBL) process for the patterning of photonic crystal waveguides.
以光子晶体Fabry-Perot腔为例,提出了全电子束光刻制作光子晶体波导器件的解决方案。
补充资料：光学掩模版
分子式：
CAS号：
性质： 在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。
CAS号：
性质： 在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条