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场效应晶体管放大器
2)  bi fet amplifier
双极.场效应晶体管放大器
3)  FET probe amplifier
场效应晶体管探头放大器
4)  Amplification effect of transistor
晶体管放大效应
5)  drain adapter
排放连接器,漏极连接器[场效应晶体管]
6)  JFET amplifier
结型场效应管放大器
补充资料:场效应晶体管放大电路


场效应晶体管放大电路
field-effect transistor amplifier

  chQngxlaoying妇ng们guan fongda dlo门!目场效应晶体管放大电路(field一effeet tran-sistor amPlifier)利用场效应晶体管作有源器件的放大电路。场效应晶体管(见场效应半导体器件)是20世纪60年代发展起来的半导体器件。它既有一般晶体管体积小、重量轻、耗电省和可靠性高等优点,又有远比一般晶体管高的输人阻抗。此外,由于MOS场效应晶体管组成的集成电路制造工艺简单、集成度高,因此发展迅速,应用日益广泛。 由于场效应晶体管具有输人阻抗高、噪声低的优点,在多级放大电路中,经常用作前置放大级。利用场效应晶体管的恒流特性,在放大电路中也常作恒流源用。 利用场效应晶体管的基本放大电路有三种,分别是共源、共漏、共栅放大电路。 (1)共源放大电路:图(a)是共源放大电路,是用得最广泛的一种电路,其中场效应晶体管是N沟道增强型MOS管。该电路有较大的电压增益、较大的输人电阻,但由密勒效应引起的输人电容太大,影响高频响应,常用作电压放大。 (2)共漏放大电路:图(b)是共漏放大电路,又名源极跟随器,也是用得比较广泛的一种电路,其中场效应晶体管是N沟道耗尽型MOS管。该电路的输入电阻大,输人电容小,电压放大倍数小于1,常用作输人级以提高输人阻抗,或用作阻抗变换、缓冲电路。 利用场效应晶体管的基本放大电路 (a)共源放大电路;(b)共漏放大电路; (c)共栅放大电路 (3)共栅放大电路:图(C)是共栅放大电路,比共源、共漏放大电路用得少,主要用于高频电路,其中场效应晶体管是N沟道结型场效应管。该电路电压增益大,输人电容小,但输人电阻小。
  
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