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1)  gaas laser
砷化镓激光器
2)  gallium aresenide injection laser
砷化镓注入式激光器
3)  Ga-al-sn laser
镓铝砷激光
4)  GaAs p-n junction injection laser
砷化镓p-n结注入式激光器
5)  ga al as semiconductor laser
镓铝砷半导体激光器
6)  gallium arsenide laser diode
砷化镓激光二极管
补充资料:磷砷化铝镓
分子式:GaxAl1-xAsyP1-y;0≤x≤1,0≤y≤1
CAS号:

性质:周期表Ⅲ,V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构,为间接带隙半导体。可在砷化镓衬底上采用液相外延、分子束外延等方法制备。为制作可见光发光器件和激光器件的材料。

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