当在n型砷化镓单晶两端制作欧姆接触，并加上高电场后，发现当外加电场达到每厘米几千伏特的临界值时，出现很强的电流振荡现象，其频率在微波范围，这个现象称为耿氏效应。耿氏效应是电子在导带能谷间的转移引起的。当外加电场低于临界值时，电子主要占据在导带中能量最低的能谷中。如果在能量差别不大的较高能量处存在另一个能谷，并且高能谷中电子的迁移率低于低能谷电子的迁移率，则当电场超过临界值，电子从低能谷向高能谷转移时，使电子的平均迁移率降低，从而表现出负微分电阻。