1) high level injection
高能级注入
2) High energy ion implantation
高能离子注入
3) multi-level reinjection
多级注入
1.
This paper discusses a new concept of multi-level reinjection VSC,its main purpose being a further reduction of the harmonic content,a solution of dynamic voltage balancing for direct series connected switching devices and an improvement of high power converter efficiency and reliability.
对一种新型的多级注入式电压源型变流器进行分析和研究。
4) nine-level reinjection
九级注入
1.
The new concept of nine-level reinjection VSC(MLVR-VSC)is proposed.
交直流变换器是FACTS和HVDC应用中的基本装置,是一种新型九级注入式电压源型变流器(MLVR-VSC),它结合多电平、软开关及注入概念适合大功率AC-DC变换的技术,解决高压换流阀中直接串接开关的动态电压平衡问题,有利于消除谐波,输出高性能的电压、电流波形。
5) MeV ion implantation chamber
高能离子注入靶室
6) energetic neutral atom injection
高能中性原子注入
补充资料：离子注入（ionimplantation）
离子注入（ionimplantation）
用离子加速器将各种离子注入半导体材料，从而改变半导体材料的电学、光学或其他物理性质的半导体工艺技术，称为离子注入技术。自从20世纪70年代以来离子注入技术在半导体器件制备工艺中获得了广泛应用，是半导体器件工艺的最主要技术之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条