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1)  high temperature epitaxy
高温外延
2)  The high temperature superconducting epitaxial thin film
高温超导外延薄膜
3)  low temperature epitaxy
低温外延
4)  temperature-change epitaxy
变温外延
5)  externally extended high water level
高水外延
6)  Low-temperature Si epitaxy
低温硅外延
补充资料:高温超导薄膜


高温超导薄膜
high critical temperature superconducting thin film

性能优异的微波无源器件,如谐振器、滤波器、延迟线等。将这些器件用在卫星通信系统上,可大大提高通信系统的性能。 YBCO薄膜量子干涉器(SQUID)在77K温度的性能已超过商品的低温SQUID低温SQUID需要在液氦温度(4 .2K)下工作。将器件工作温度由4.2K提高到77K,将大大简化制冷系统,减轻重量,降低成本,从而扩大器件应用范围。 秘系薄膜BISrCaCuo超导体系包括3个超导相。按BisrCaCu的顺序,其组分为2201、2212与2223,大分别为20K、80K和11()K。2223相存在温区很窄,很难制备出纯的2223相。这给高Tc的BISr-CaCuo薄膜的制备带来了困难。用铅‘Pb)取代一部分Bi,可提高样品中2223相的比例,改善晶粒间连接状况,显著提高超导性能。在700℃的MgO单晶基片上,用射频磁控溅射法淀积BISrCaCuO薄膜,经过900℃、6()分钟的后续热处理,薄膜的Tc0达到95K,大(77K,一)T)达到1 .9又106A/em,。在300oC的MgO单晶片上淀积含Pb的BISrCaCuO膜,并将它与Bil.7Pbo.3 Sr,CaZCu。O、块材一起放在柑涡中,J几840℃、15小时退火.从而可得到110K的含I,b的BISrCaCuO薄膜,但Ic(77K,OT)只有300A/emZBISrCaCuO薄膜在空气中的稳定性较好。已用Bi系薄膜制出SQUll)。制备1 IOK的BISrCaCuO外延薄膜仍是研究的课题。 锐系薄膜TIBaCaCuO是临界温度最高的超导体(Tc为125K),实用价值更大。制备TI系超导体的原料T蚝03是剧毒物质,使用时必须有妥善的防护措施。Tl的蒸气压高,易挥发,这给TIBaCaCuo薄膜的制备带来一定困难,而且很难实现外延生长,只能采用后热处理法制备。为了补充TI的损失,需要将薄膜与TIBaCaCuo粉末或块材放在密闭柑涡中一起热处理。Tl系2223相比较容易形成,这是Tl系薄膜优于Bi系薄膜的地方。 直流溅射后热处理法制备的2223相TIBaCaCuO薄膜的Tg为116K,Ic(77K)为105A/emZ。脉冲激光后热处理法制备的T12BaZCaCu20二薄膜的Tc虽然只有98 .3K,但Jc(77K)却高达l洲106A/emZ,微波表面电阻Rs(77K,9.55GHz)=0.2m见,只是铜(Cu)的1/45。在场强高达12G的强微波场中,它的Rs(%K,9.55GHz)也只有o.6m兑,这对于制作高功率的微波器件是重要的。TIBaCaCuO薄膜微波器件在80K温度下仍然具有良好的性能。TIBaCaCuO薄膜天然晶界SQUID在77K的性能已和4 .ZK商品SQUID性能相近。Tl系薄膜表面质量提高后,TI系薄膜及器件的性能还会有大幅度提高。(李宏成)高温超导薄膜high critieal temperature Super-condueting thin film厚度小于l月m的高温超导材料。
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参考词条