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1)  hmos
高性能金属氧化物半导体
2)  complementary high performance mos
互补高性能金属氧化物半导体结构
3)  h mos mos technology
高性能金属氧化物半导体技术
4)  HMOS High performance(density,speed) Metal C Oxide C Semiconductor
高性能(密度,速度)金属氧化物半导体
5)  high performance MOS integrated circuit
高性能金属-氧化物-半导体集成电路
6)  LOCMOS (Locally Oxidized CMOS)
局部氧化的互补性金属氧化物半导体
补充资料:高性能金属-氧化物-半导体集成电路
      器件和电路连线的尺寸按某种规律缩小,其他有关参数随着相应变化,以达到高性能(速度快、功耗低、集成密度高)指标的硅栅NMOS电路技术,简称HMOS。
  
  
  按比例缩小原则  表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后,电路性能提高的情况:速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化,对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中,希望电源电压保持不变,因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进,比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的,而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
  
  微细化 MOS电路的次级效应  MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,会出现一系列的次级效应。①短沟道效应:沟道过短时,开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应:沟道太窄时,开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通:沟道过短并加上一定的V时,源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应:在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低,从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应:沟道长度缩短到一定程度后,沟道区内的电场变得很强,使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中,引起开启电压的漂移,从而使长期工作不尽可靠。
  

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