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1)  metal semiconductor barrier
金属 半导体接触势垒
2)  metal-semiconductor contact
金属-半导体接触
3)  Metal Semiconductor Contact
金属半导体接触
4)  semiconductor metal contact
半导体金属接触
5)  metal-semiconductor-metal photodetector(MSM-PD)
金属-半导体-金属Schottky势垒光电探测器
6)  metal-semiconductor contacts
金属/半导体接触孔
补充资料:金属-半导体接触(metal-semiconductorcontact)
金属-半导体接触(metal-semiconductorcontact)

在半导体片上淀积一层金属形成紧密的接触。硅器件和集成电路中大量采用的铝-硅接触就是典型的实例。金属-半导体接触中最重要的有两类典型接触:一类是金属与半导体的没有整流作用的接触,称为欧姆接触,这种接触与一个电阻等效;另一类是整流接触,具有类似于pn结的单向导电性。上述特性是由于金属-半导体接触时,两者的功函数不同,电子可以从金属流向半导体,或半导体流入金属,从而使半导体表面形成表面势垒(又称阻挡层)或反阻挡层所致。反阻挡层是很薄的高电导的区域,它对金属和半导体接触电阻影响很小。表面阻挡层存在使金属-半导体接触具有整流作用。在半导体表面处的禁带中存在着表面态,对应能级称为表面能级。表面能级对表面势垒有很大的影响。

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