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1)  metal silicide interconnection
金属 硅化物互连
2)  metal silicide
金属硅化物
1.
Microstructure and wear resistance of laser melt deposited Mo/Mo_(2)Ni_(3)Si metal silicide alloys;
激光熔化沉积Mo/Mo_2Ni_3Si金属硅化物合金显微组织与耐磨性
2.
A wear resistant Cr-Cu-Si metal silicide alloy having a microstructure consisting of the primary dual-phase dendrite with a Cr5Si3 core encapsulated by CrSi phase and the interdendritic ductile Cu-based solid solution was fabricated by the laser melting process.
利用激光熔炼材料制备技术,制得了由铜基固溶体增韧的Cr5Si3/CrSi金属硅化物新型耐磨合金,分析了合金的显微组织结构,测定了合金的显微硬度,考察了合金在室温干滑动磨损条件下的耐磨性能。
3.
Wear resistant Cu_(ss)/Cr_5Si_3 metal silicide composite coating was fabricated on a substrate of an austenitic stainless steel 1Cr18Ni9Ti by laser cladding process.
利用激光熔覆技术在奥氏体1Cr18N i9Ti不锈钢表面制备出由Cuss增韧铜基固溶体(Cr5S i3)金属硅化物新型耐磨复合涂层,分析了其显微组织,并在室温干滑动摩损条件下评价其耐磨性能。
3)  Metallic silicide
金属硅化物
4)  intermetallic compounds
金属互化物
5)  interconnection [英][,intəkə'nekʃən]  [美][,ɪntɚkə'nɛkʃən]
金属互连
1.
The accelerated life tests with high stresses and noise spectrum measurement at normal bias conditions are performed for Al based interconnection in VLSI,and the variation of frequency exponent γ of 1/ f γ noise with the electromigration evolution during the test is observed.
对VLSI的金属互连线实施高应力下的加速寿命试验和常规应力下的噪声频谱测量 ,得到了金属薄膜1/fγ噪声的频率指数γ在电迁移演化过程中的变化规律 ,发现γ指数在寿命试验的某个时间点发生突变 ,从 1 0上升到 1 6以上 。
6)  metal interconnects
金属互连
1.
Research on the noise characteristics during the electromigration process in VLSI metal interconnects;
VLSI金属互连电迁移1/f~γ噪声特性研究
2.
Consequently, the metal interconnects of VLSI have smaller sectional area and carry increasing power density, which made the electromigration become one of the main latent damage modes.
重点研究了VLSI金属互连电迁移噪声检测技术。
补充资料:金属硅化物
分子式:
CAS号:

性质:金属与硅生成的化合物。常分成两大类:(1)难熔金属硅化物,指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物,如钛化硅、锆化硅、钽化硅、钨化硅等;(2)贵金属和近贵金属硅化物,如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是:熔点高(大都在1500℃以上),最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m),硬度高。多在超大规模集成电路中使用,如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有:蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。

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参考词条