1) resistless lighography
无光刻胶蚀刻
2) resistless etching
无光刻胶腐蚀
3) photoresist masked etching
光刻胶掩蔽腐蚀
4) contactless lithography
无接触光蚀刻
5) potoeching
光刻，光蚀
6) with no need of etching technology
无刻蚀
1.
A Fe-Al2O3 composite plating deposit was obtained based on non-etching iron dichloride iron plating process with addition of Al2O3 inert particles in ferrous chloride single salt solution (ferrous chloride concentration of 300 ~ 400 g/L) with no need of etching technology.
以二氯化铁无刻蚀电镀工艺为基础,在氯化亚铁单盐(ρ=300~400g/L)中加入Al2O3惰性粒子,制备了Fe–Al2O3复合镀层。
补充资料：光刻
? ±谜障喔粗朴牖Ц聪嘟岷系募际酰诠ぜ砻嬷迫【堋⑽⑾负透丛颖〔阃夹蔚?化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知，但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代，美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来，并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并已用于刻划光栅、线纹尺和度盘等的精密线纹。
光刻的基本原理是：利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻半导体晶片二氧化硅的主要步骤（见图）是：①涂布光致抗蚀剂；②套准掩模板并曝光：③用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层；④用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层；⑤去除已感光的光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂是一种对光敏感的高分子溶液，种类很多，根据光化学反应的特点一般可分为正性和负性两大类。凡用显影液能把感光的部分溶解去除的称为正性光致抗蚀剂；用显影液能把未感光的部分溶解去除的称为负性光致抗蚀剂。
光刻的精度很高，可达微米数量级，为使蚀刻线条清晰、边缘陡直、分辨率小于1微米的超微细图形,可采用远紫外曝光、X射线曝光、电子束扫描曝光,以及等离子体干法蚀刻等新技术。
参考书目
李家植编：《半导体化学原理》，科学出版社，北京，1980。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条