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1)  soi integrated circuit
绝缘体上硅结构集成电路
2)  structure silicon on isolant
绝缘体上硅结构
3)  silicon on insulator material
绝缘体上硅结构材料
4)  soi substrate
绝缘体上硅结构衬底
5)  silicon in insulator
绝缘体内硅结构
6)  laser recrystallized silicon on insulator
激光再结晶的绝缘体上硅结构
补充资料:绝缘体上外延硅


绝缘体上外延硅
silicon on insulator

绝缘体上外延硅Sixieon。n insulator在绝缘衬底上制备半导体薄膜的生长技术。简称501。早期发展的绝缘衬底是蓝宝石。由于蓝宝石上外延硅存在衬底的自掺杂、载流子迁移率低、衬底和外延层界面应力大和衬底价格昂贵等缺点,得不到广泛应用。 501是在硅单晶衬底上形成5102绝缘层作衬底,并在绝缘层上进行硅外延增加厚度,用腐蚀法在该衬底上形成隔离硅岛后加工成电路。 较典型的501技术包括以下3种。①区熔再结晶技术。1979年由美国林肯实验室开拓。可采用激光或石墨加热器,近年又发展电子束、卤素钨灯加热等。这项技术经历图形外延、侧向籽晶外延和区熔再结晶。②氧离子注入(S IMOX)。以离一子束向硅单晶片注入高剂量氧离子,退火后形成埋层5102,再进行硅外延。用于超大规模集成电路SIMOX的最佳条件是:加热至500℃以上,以150一200 keV能量进行高浓度氧离子注入,注入浓度1一 2x101犯m一3,注入后在大于1250℃高温下退火。衬底和器件质量取决于注入能量、束流和温度等。③隔离硅外延。近年由林肯实验室发展的。它克服了材料缺陷如突出物、圆片翘曲和表面粗糙,提高了501材料质量。 用501结构材料加工大规模集成电路可降低互补金属一氧化物一半导体(CMOS)器件衬底的寄生电容,提高开关速度,增强抗宇宙射线能力和增加集成度。已应用于CMOS随机存贮器、运算器等。但501技术至今尚未进入商品化。今后除寻求发展新技术外,必须努力提高原有各种技术的实用性,如更好地控制硅膜中的缺陷和杂质,提高工艺的可靠性,进一步降低成本等,使之早日实现商品化。 (莫金现)
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