1) higher pair
线点对偶
2) nonlinear primal-dual interior-point method
非线性原对偶内点法
1.
According to nonlinear primal-dual interior-point method, approximate Newton directions are constructed during iteration,and hence the weak coupling system can be fully decomposed.
该算法以非线性原对偶内点法为基础,在迭代计算过程中构造近似牛顿方向,实现弱耦合系统的完全解耦,保证算法具有局部线性收敛特性,且其计算速度要比非线性原对偶内点法快。
2.
In this paper,the node tearing method is adopted to convert the discrete reactive-power optimization model of large-scale power systems into a multi-zone decomposition one,and the nonlinear primal-dual interior-point method with discrete penalty is employed to solve the decomposition model and to further obtain reduced-order linear correction equations with a block structure.
根据节点分裂法将大规模电力系统的离散无功优化模型转化成多区域分解形式,再采用引入离散惩罚的非线性原对偶内点法求解,获得具有分块结构的降阶线性修正方程组。
3) nonlinear primal-dual interior point algorithm
非线性原-对偶内点法
1.
Besides describing the OPF model,this paper focuses on the nonlinear primal-dual interior point algorithm and higher-order correction strategies.
给出了电力系统最优潮流(OPF)的数学模型以及求解该模型的非线性原一对偶内点法,在阐述OPF数学模型的基础上,对基于非线性原-对偶内点法的OPF算法进行了详细的数学描述。
4) nonlinear prime dual interior algorithm
非线性原-对偶内点算法
5) dual pole
对偶极点
1.
Robust control of unstable process with dual pole;
具有对偶极点的不稳定过程的鲁棒控制
6) dual point
对偶点
1.
On the basis of motive geometry ,using dual point ,the paper establishes the mathematical model of hinged four bar mechanism that achieved four corresponding angular displacement of two rod connecting frame;sinultameously through an example,visualization of geometry and accuracy of analytics and simple use in this method are shown.
在运动几何学的基础上,利用对偶点,建立了实现两连架杆四对应角位移的铰链四杆机构解析法设计的数学型。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条