1) avalanche phototransistor
雪崩光电晶体管
2) Avalanche transistor
雪崩晶体管
1.
The generator is based on the avalanche transistors in a Marx bank circuit.
为了获得高功率、高重复频率的纳秒级光脉冲,介绍了一种基于M arx bank脉冲发生原理的纳秒脉冲激光驱动器的设计,以及设计过程中雪崩晶体管的选取。
2.
Such generator outputed current impulses of 7 ns wide and 6 A high from the two-stage avalanche transistor matrix using the avalanche effect.
利用晶体 管的雪崩效应,通过两级雪崩晶体管阵列,得到了7 ns、6 A的大电流窄脉冲。
3.
In this thesis, the current research status and performances of the short pulse generator are summarized; the physical principle of avalanche transistor is analyzed; and avalanche transistor is chosen based on the principle.
本文对探地雷达脉冲源技术的发展进行了总结,详细分析了雪崩晶体管的工作原理,雪崩晶体管的导通方式及其应用电路对雪崩管导通方式的影响,据此探讨了雪崩晶体管的选择。
4) punch through avalanche transistor
穿通雪崩晶体管
5) APD
雪崩光电二极管
1.
Implementation of Compensation for Bias Voltage of Thermo-drift for APDs by Using AC1056;
用AC1056实现对雪崩光电二极管温漂的偏压补偿
2.
In order to implement dynamic bias voltage compensation for the thermal drift of APD gain,high precision A/D and D/A circuits are designed.
为实现对雪崩光电二极管(APD)增益温漂的动态偏压补偿,设计了高精度的ADC和DAC电路系统,对APD可以达到毫伏级的偏压控制精度和0。
3.
This paper discusses a new kind of detecting system for bioluminescence which based on APD.
本文介绍了一种基于雪崩光电二极管的生物发光检测仪器新方案,并与传统的微光测量方案和器件进行了比较。
6) avalanche photodiode(APD)
雪崩光电二极管
1.
In order to ensure the optimum operating of the avalanche photodiode(APD) in the laser gyro under different temperature conditions,an effect of the temperature on the avalanche gain is analyzed based on the principle of APD multiplication.
为保证激光陀螺中雪崩光电二极管(APD)在温度变化的情况下始终处于最佳工作状态,从APD的倍增机理出发,分析了温度对雪崩增益的影响,建立了虚警率与APD倍增因子的数学模型,并采用监测雪崩噪声平均过阈率的方法,得到器件的实际击穿电压温度系数γ=6。
2.
The edge pre-breakdown of planar-type avalanche photodiode(APD) is resulted from the intense electric field at the junction bend.
平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿。
3.
According to the requirements and the characteristics of the single-photon detect System,a water-cooling system based on thermoelectricity cooling accompanied by a temperature control instrument was developed to reduce the temperature of the detector avalanche photodiode(APD).
根据单光子探测系统的要求及其特点,采用半导体制冷技术,研制出了用于单光子探测的雪崩光电二极管(APD)的水循环散热制冷腔。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条