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1)  common-emitter junction phototransistor
共发射极结型光电晶体管
2)  grounded-emitter transistor
共发射极晶体管
3)  common-emitter junction transistor
共发射结晶体管
4)  junction phototransistor
结型光电晶体管
5)  direct current beta
晶体管共发射极短路电流放大系数
6)  Schottky emitter type transistor
肖特基发射极型晶体管
补充资料:单结晶体管
      只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件,早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极,在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极(图中)。当基极B1和B2之间加上电压时(图中b),电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上,且此信号超过原反偏电势时,器件呈导电状态。一旦正偏状态出现,便有大量空穴注入基区,使发射极和B1之间的电阻减小,电流增大,电势降低,并保持导通状态,改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此,这种器件显示出典型的负阻特性(见图c),特别适用于开关系统中的弛张振荡器,可用于定时电路、控制电路和读出电路。
  
  

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