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1)  field-effect quadrode
场效应四极管
2)  tetrode field effect transistor
四极场效应晶体管
3)  field-effect diode
场效应二极管
4)  quadrupole tube
四极场管
5)  quadrupole effect
四极效应
6)  BJMOSFET
双极MOS场效应晶体管
1.
The high frequency equivalent model of Bipolar junction MOS field effect transistor (BJMOSFET) was proposed.
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性。
2.
After analyzing the advantage and disadvantage of the MOSFET and BJT a new kind of device BJMOSFET is introduced, which has large capacity of current and large power output just like the BJT, and the large input resistant just like (MOSFET.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。
补充资料:场效应
      直接通过空间和溶剂分子传递的电子效应。场效应是一种长距离的极性相互作用,是作用距离超过两个C-C键长时的极性效应。
  
  场效应的作用方向与诱导效应作用方向往往相同,一般很难将这两种效应区分开。R.戈尔登和L.M.斯托克测定了以下多环酸的电离常数pKa:当X=H 时,pKa为6.04;X=Cl时,pKa为6.25;X=COOCH3时,pKa为6.20。
  
  
  
  在以上分子中,X基团与COOH基团之间相隔四个单键,X基团的诱导效应对pKa的变化影响很小。此外,分子内生成氢键的可能性也很小。因此,上述化合物的pKa的差别可用场效应来解释。当X=Cl和COOCH3时,其pKa大于X=H时的pKa,其原因是基团X吸收电子后形成偶极Cδ+-Xδ-的场效应,通过空间或溶剂分子直接影响了COOH的电离。
  
  场效应还与分子的几何形状有关。例如下列两个化合物的pKa和酯化反应速率常数大小不一样,它们的次序
  
  
  是a>b。在a、b两个化合物中,氯原子对COOH的诱导效应是相同的,这两种基团之间插入相同数目的C-C键。但它们的场效应则不相同,在化合物b中的氯原子通过空间与 COOH的相互作用距离要比化合物a的作用距离近一些,因此a的酸度较大。这说明场效应确是存在的。
  
  

参考书目
   J.马奇著,陶慎熹、赵景旻译:《高等有机化学》,人民教育出版社,北京,1981。(J. March,Advanced Organic Chemistry,2nd ed., McGraw-Hill, New York,1977.)
  

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