2) High resolution energy dispersive spectrometer
高分辨率能谱仪
3) deep level transient spectroscopy
深能级瞬态谱
1.
Pulse neutron radiation induced trap s in neutron-transmutation doped(NTD) Si diodes and their annealing behaviors h ave been investigated by means of deep level transient spectroscopy(DLTS), and c ompared with the results of thermal neutron irradiated samples.
深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 。
2.
A quantum dot (QD), the behavior of which is to capture and emit carriers like a giant trap, is studied using deep level transient spectroscopy (DLTS) technique.
用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,并利用光致发光(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)对InAs量子点进行观测。
3.
Using deep level transient spectroscopy,We studies the defect levels of BSF silicon solar cell irradiated by C,O ions.
对ＢＳＦ硅太阳电池受碳、氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究，结果表明碳、氧离子在硅太阳电池中引入的缺陷能级非常相似。
4) DLTS
深能级瞬态谱(DLTS)
5) DLTS
深能级瞬态谱
1.
75 N layer of GaN based light emitting diode (LED) on SiC substrate was studied using deep level transient spectroscopy (DLTS).
利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 。
2.
The fast Fourier transform deep level transient spectroscopy (FFT DLTS) method has the advantages of high sensitivity and high resolution.
相对于传统深能级瞬态谱 (DLTS)方法 ,快速傅立叶变换深能级瞬态谱 (FFT DLTS)方法具有灵敏度高 ,分辨率高等特点 ,但是由于用FFT DLTS方法在处理多能级DLTS系统时存在着系统误差从而限制了该方法的应用 。
3.
Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) was used to study the irradiation-induced defects in GaAs (50A)/GaAlAs (50A) superlattice.
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）系统地研究了ＧａＡｓ（５０Ａ）／ＧａＡｌＡｓ（５０Ａ）超晶格中的电子辐照缺陷，证实其亚稳态特性的存在，对其恢复温度、转变条件进行了研究，指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。
6) HRMS (High Resolution Mass Spectrometer)
高分辨率质谱仪
补充资料：高分辨率质谱
分子式：
CAS号：
性质：一种质谱技术，即采用双聚焦质谱仪器，足够准确地测量离子的质量，以准确无误地确定离子的元素(和同位素)组成的技术。例如，测得一个离子的质是43.0184，离子的元素组成必是C2H3O+，不可能是C3H3+(43.0547)，C2H5N+(43.0421)，CH3N2+(43.0296)，CHNO+(43.0058)或C2F+(42.9984)。
CAS号：
性质：一种质谱技术，即采用双聚焦质谱仪器，足够准确地测量离子的质量，以准确无误地确定离子的元素(和同位素)组成的技术。例如，测得一个离子的质是43.0184，离子的元素组成必是C2H3O+，不可能是C3H3+(43.0547)，C2H5N+(43.0421)，CH3N2+(43.0296)，CHNO+(43.0058)或C2F+(42.9984)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条