1) silicon photocell
硅光电管
2) silicon photodiode
硅光电二极管
1.
This paper is intended to provide a technique for design and experiment of a charge sensitive preamplifier with special silicon photodiodes.
在台湾中微子实验项目先期研究中 ,用硅光电二极管测读中微子作用于 Cs I(Tl)晶体的光谱信号。
2.
In this paper, experimental studies on using silicon photodiode as the read-out component of CsI(Tl) Crystal are reported.
报道了硅光电二极管作为ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体读出元件的实验研究。
3.
In order to investigate the output stability of Q-switched diode-pumped laser(DPL) pulse,the tradition detection circuit of the silicon photodiode was analyzed with the circuit mesh method.
为了研究调Q二极管泵浦固体激光器(DPL)激光脉冲输出的稳定性,利用电路网孔法对传统硅光电二极管探测电路进行了分析,发现传统的探测电路无法检测到激光脉冲中多纵模所引起的高频噪声信号(在腔长小于10 cm的短谐振腔中其频率通常为1~2 GHz)。
3) silicon photomultipliers
硅光电倍增管
1.
Three novel technologies, spinning disc interferometry or bio-CD,near-infrared fluoroscence polymersomes, and silicon photomultipliers, with promising applicability in developing analytical instrumentation, especially biomedical instrumentation, were introduced and reviewed.
介绍了三种在发展新型仪器,特别是生物医学仪器方面可能有较好潜在应用价值的新技术:旋转盘干涉测量法,也称生物光盘;软纳米近红外荧光成像技术(纳米级荧光聚合物泡);硅光电倍增管。
4) Si PIN diode
PIN硅光电二级管
5) PIN photodiode
PIN硅光电二极管
1.
Experimental study of PIN photodiode for y ray detection;
PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究
6) Si photodiode
硅光电二极管
1.
Variation in damage thresholds of Si photodiodes with laser pulse duration;
硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化
2.
The experimental device、measuring optical beam nd methord were introduced The result revealed that effects of air humidity on the sensitivity of Si photodiode was not tolerate
测量结果揭示出空气湿度对硅光电二极管响应度的影响是不容忽视的。
补充资料：光电管和光电倍增管
基于外光电效应制成的光电器件。
光电管 主要由密封在玻璃壳内的光电阴极和阳极组成，如玻璃壳内抽成真空就构成真空光电管；如玻璃壳内充入选定的气体，使光电阴极发射的光电子经过气体电离放大,从而提高其灵敏度,则称为充气光电管。光电管的典型结构是中心阳极型。它的玻璃壳呈球形，并在内半球面上形成光电阴极,阳极制成小球或小环形,置于玻璃壳的中心。它具有光照面积大，到达玻璃壳的时间分散性小，极间电容小的优点。常用光电阴极有锑铯型、银氧铯型、铋银氧铯型、多碱型及负电子亲和势型，可对不同的谱段敏感。总的来说，光电管的灵敏度低、体积大、容易破碎，因此正逐步为固态光电探测器所代替。
光电倍增管 由光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极四部分组成。光电阴极接受入射的光子后发射出光电子。电子光学系统使光电子在电场的作用下汇集到第一电子倍增极上。受电场加速的光电子射到倍增极上会激发出更多的电子，称为次级电子。次级电子数与入射电子数的比值称次级发射系数，一般为3～6。光电子经电子倍增系统中多级倍增极的倍增（增益系数达104～108）,最后被阳极收集形成阳极电流。二种典型的结构示于图、内。非聚焦型的渡越时间分散性大。聚焦型的采用合理的倍增极形状,减小了渡越时间分散性,能响应几百兆赫的调制光。
近十年来从事负电子亲和势光电阴极和倍增极研究所取得的成果把响应光的长波阈值推到1.6微米,量子效率显著提高，倍增极的次级发射系数提高1～2个数量级。有可能制造出级数少、增益大、时间常数小的快速光电倍增管。
另一个重要进展是出现了通道式光电倍增管，它的主要改进在于采用了通道式电子倍增器。这是在一直管或弯管的内壁涂以高阻的次级发射材料，管端施加几千伏的直流高压，光电子经电场加速射到壁上发射出次级电子，这个过程多次重复而得到高增益。这种器件的时间常数只有十分之几纳秒。常用于探测真空紫外辐射。
光电倍增管在探测弱光、高频调制的光或光脉冲方面获得广泛应用。在有些情况下它已被光电雪崩二极管所取代，但是它的低噪声电平仍然是其独有的特性。光电管和光电倍增管的最大局限性是它只能探测波长小于1.6微米的光。
光电管 主要由密封在玻璃壳内的光电阴极和阳极组成，如玻璃壳内抽成真空就构成真空光电管；如玻璃壳内充入选定的气体，使光电阴极发射的光电子经过气体电离放大,从而提高其灵敏度,则称为充气光电管。光电管的典型结构是中心阳极型。它的玻璃壳呈球形，并在内半球面上形成光电阴极,阳极制成小球或小环形,置于玻璃壳的中心。它具有光照面积大，到达玻璃壳的时间分散性小，极间电容小的优点。常用光电阴极有锑铯型、银氧铯型、铋银氧铯型、多碱型及负电子亲和势型，可对不同的谱段敏感。总的来说，光电管的灵敏度低、体积大、容易破碎，因此正逐步为固态光电探测器所代替。
光电倍增管 由光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极四部分组成。光电阴极接受入射的光子后发射出光电子。电子光学系统使光电子在电场的作用下汇集到第一电子倍增极上。受电场加速的光电子射到倍增极上会激发出更多的电子，称为次级电子。次级电子数与入射电子数的比值称次级发射系数，一般为3～6。光电子经电子倍增系统中多级倍增极的倍增（增益系数达104～108）,最后被阳极收集形成阳极电流。二种典型的结构示于图、内。非聚焦型的渡越时间分散性大。聚焦型的采用合理的倍增极形状,减小了渡越时间分散性,能响应几百兆赫的调制光。
近十年来从事负电子亲和势光电阴极和倍增极研究所取得的成果把响应光的长波阈值推到1.6微米,量子效率显著提高，倍增极的次级发射系数提高1～2个数量级。有可能制造出级数少、增益大、时间常数小的快速光电倍增管。
另一个重要进展是出现了通道式光电倍增管，它的主要改进在于采用了通道式电子倍增器。这是在一直管或弯管的内壁涂以高阻的次级发射材料，管端施加几千伏的直流高压，光电子经电场加速射到壁上发射出次级电子，这个过程多次重复而得到高增益。这种器件的时间常数只有十分之几纳秒。常用于探测真空紫外辐射。
光电倍增管在探测弱光、高频调制的光或光脉冲方面获得广泛应用。在有些情况下它已被光电雪崩二极管所取代，但是它的低噪声电平仍然是其独有的特性。光电管和光电倍增管的最大局限性是它只能探测波长小于1.6微米的光。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条