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1)  infrared maser
红外激射器
2)  iraser [i'reisə]
红外激射器,红外激光
3)  iraser [i'reisə]
(1)红外激射(2)红外激射器
4)  narrow-band ir laser reflector
窄带红外激光反射器
5)  infrared amplification by stimulated emission of radiation
红外线量子放大器红外激射器
6)  IR laser
红外激光器
1.
6 μm IR laser with 97.
6μm红外激光器用反射式闪耀光栅。
补充资料:红外半导体激光材料


红外半导体激光材料
infrared semiconductor laser materials

红外半导体激光材料infrared semieonduetorlaser materials激光波长大于0 .55月m的半导体激光材料。由于红外波长范围广阔,相应半导体激光材料种类很多(见表)。用于波长大于2月m的红外半导体激光材料,通常按性质分为两类,一类是Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体,其覆盖波段为2一4月m。另一类是W一VI族铅盐半导体,覆盖波段为3一30召们no红外半导体激光材料波长(解m)0 .85一0.900 .93一1.0 1 .0一1.7 2 .0一4.0激活层GaASInGaAsIn卜xGaxAs卜,P,InGaAssbInAsPSb 限制层AIGaAsAIGaAsInPAIGaAssbAIGaPSb 衬底GaASGaAsInPGasbInAs分类m一V族化合物半导体3一30}PbEuseTe 1 PbseTe 1 PbTe份一VI族化合物半导体 Gasb基和InAs基m一V族化合物半导体制造用于红外光纤通信,红外传感、激光雷达及分子光谱学等方面的中红外半导体激光器。Gal一xlnxAsysbl一,四元合金系统,当y/x约0.9时,这种化合物可同Gasb晶格匹配。从原理上说,x=0一1时,波长凡可在1.7一4.3召m范围变化。但是,工艺上实现覆盖这一波段范围比较困难。例如采用液相外延(LPE)法生长材料,由于中心区(x二0.18一0.84)存在混合隙,目前最长波长做到2.39#m。由于液相外延是一种热力学平衡过程,在这一组分范围内,液相和固相间存在大的分凝,衬底相对熔体处在不稳定状态,因此不能获得稳定的固相。红外光纤最低损耗波长为2.55尽m,获得这一波段激光器所需的材料组分为x约0 .27,正好在混合隙内。因而需采用分子束外延(MBE)和金属有机气相外延(MOVPE)生长方法制备。Ga,_xlnxAsysb,_,为有源区激光材料,其限制层材料选择Gal一二Al二As,Sbl一y’通过选择合适的组分,使其禁带宽度比GalnAssb宽,而折射率比其低。因此在Gasb衬底上可生长出GaAIAssb/GalnAssb/GaAIAssb/Gasb双异质结构。 2一4召m波段另一种可供选择的激光材料是生长在InAs衬底上的InAsl一二一yPxsb,异质结材料。但利用这种材料制成的激光器热特性较差,难以实现室温工作,使用很少。此外还有Insb、InGaAs等材料,虽已作出激光器,但由于器件性能不好,也很少使用。 W一VI族铅盐半导体带宽温度系数非常大,特别适合制造半导体可调谐激光器。
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参考词条