3) gallium arsenide semiconductor
砷化镓半导体
4) gaas laser
砷化镓激光器
6) semiconductor laser
半导体激光器
1.
A Design of semiconductor laser temperature control;
半导体激光器的温度控制器的设计
2.
Stable power semiconductor laser based on MSP430;
基于MSP430单片机的稳功率半导体激光器的设计
3.
Experimental study on the spectral stabilization of the output of semiconductor laser;
半导体激光器输出光谱稳定性的实验研究
补充资料：磷砷化铝镓
分子式：GaxAl1-xAsyP1-y；0≤x≤1，0≤y≤1
CAS号：
性质：周期表Ⅲ，V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，为间接带隙半导体。可在砷化镓衬底上采用液相外延、分子束外延等方法制备。为制作可见光发光器件和激光器件的材料。
CAS号：
性质：周期表Ⅲ，V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，为间接带隙半导体。可在砷化镓衬底上采用液相外延、分子束外延等方法制备。为制作可见光发光器件和激光器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条