1) interstitial ion
填隙离子
2) interstitial ion,interstitial ions
填隙离子<冶>
3) interstitial cation
填隙阳离子
4) interstitial anion
填隙阴离子
6) interstitial oxygen atoms
填隙氧原子
1.
The positions of the interstitial oxygen atoms in PWO crystals are numerically simulated by.
运用GULP计算软件模拟计算了PbWO4(PWO)晶体中不同位置的填隙氧原子点缺陷的生成能,计算结果表明:当填隙氧原子存在于(WO4)2-的周围时,填隙氧原子点缺陷的生成能最低;进一步运用基于密度泛函理论的全数值自洽DV-Xα方法计算了包含填隙氧原子的PWO晶体的态密度,计算结果表明:当填隙氧处在(WO4)2-的周围时,容易与(WO4)2-上的一个或两个氧离子相互作用形成分子离子O22-或O34-,通过分析这些计算结果,认为PWO晶体中350nm吸收带的出现很可能与晶体中的氧分子离子有关。
补充资料:填隙原子
填隙原子
interstitial atom
填隙原子interstitial atom固溶体中填充在母相晶格中间隙位置的溶质原子。填隙原子在晶体中的位置与母相晶体结构有关。在面心立方晶体中,最大间隙位置为晶胞中的体心位置:冬冬冬:或棱线中点。00鲁」,~/,口口)J。’“J汁’“件~‘2 22“~’队~’J、,、‘以UZ“’它们在结构上是等效位置。这种间隙位置周围有6个原子,原子中心位于一个正八面体顶点,因而称为正八面,,J一~。_~~~小,‘~。。。1 11,。、一,_“体间隙位置。另一种间隙位置是[专宁令〕及结构上的厅’、’小比~“/碑,”,因、~~~‘4 44“~~’钾一“资等效位置,周围有4个原子构成一个正四面体,因而称为四面体间隙。在六角密排结构中,间隙位置也如同面心立方结构的一样,具有八面体和四面体两种间隙。在,,_、一一一一一.,一。,,一~~、。11八,决一汕二体心立方结构中,八面体间隙在面心〔音告0〕或棱线中厅一。一/J川,二”、四厅‘,’闷、一~“‘22”“~队~’,。八八1。一~~。l’n。一。11八。,甘,、仙,点〔00青〕,而四面体间隙在〔音夸0]及其等效位置。丁,,、‘“”2“”,’J~~一’一,的、一“24”~~’J‘”~~o在同一晶体结构中,填隙原子处在哪种间隙位置,其几何组态如何,取决于组态能量。以面心立方晶体为例,若填隙原子处在八面体间隙位置正中心,将周围原子稍加挤开,这就是体心组态(图a),它所产生的畸变具有球面对称性。若填隙原子沿<100>方向稍有偏离,并将晶格上的一个近邻原子也挤离了平衡位置,如图b所示,则形成两原子的对分填隙组态,这时所产生的畸变具有四角对称性。若填隙原子沿密排<110)方向,使(”十1)个原子挤占儿个原子的座位(图c),则称为挤列组态。理论计算表明,对分组态能量最低。 确定平衡填隙原子浓度与确定平衡空位浓度的方法(见空位)相同。设晶体具有可以引入填隙原子的间隙位置数为N,填隙原子数为、,填隙原子形成能为Q’,振动嫡为g。当”《N时,根据平衡时自由能最低原理可团┌──────────┐│一}筒矛袄 ││ ,人,--一仁争二一││ L. │└──────────┘面心立方晶体中的填隙原子a体心组态b对分组态。挤列组态求得平衡时填隙原子浓度C为。_邓_____,sr’、____,Q‘、七一灭一匕入p、万牙厂入P、一瘾丁,填隙原子形成能的计算主要需考虑填隙原子填入后周围的晶格畸变,其次还要考虑它对电子状态的影响,这是一个相当复杂的问题。据推断一般约为3eV,约为空位形成能的几倍。所以在相同温度下,晶体中平衡填隙原子浓度要比平衡空位浓度小得多。 如同空位一样,填隙原子对晶体物理性质也有重要影响。它可引起体膨胀,对传导电子产生附加散射,引起电阻增加等。可以通过检测某些物理量(如晶格常数、密度、电导和热导)作为某一变量(例如温度)的函数,推断出填隙原子等缺陷的重要信息。也可以用对某种外加微扰的反应如电子自旋共振、电子一核双共振{E NDOR)、光吸收、荧光及内耗等来研究缺陷本身。对于绝缘体和半导体晶体,缺陷能级位于基体的带隙中,磁共振和光学技术通常能详细描述缺陷同环境的相互作用。
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参考词条