1) hall mobility
载体迁移率
2) carrier mobility
载流子迁移率
1.
The oriented intensity of(0 0 l) is more strong,the carrier mobility of the film is more great.
合成了一种新的有机无机层状类钙钛矿(RNH3)2CuX4半导体薄膜,通过研究发现该薄膜的载流子迁移率的大小与有机组元的选择有关,有机组元的选择决定了产物在(00 2l)上的择优取向度,而薄膜在(00 2l)取向性越高,其载流子迁移率越大,该体系目前载流子迁移率达到了0。
2.
Threshold voltage can be changed into digital-output thiough utilizing the variety between the threshold voltage of a MOS transistor and carrier mobility vs temperature.
设计一种与CMOS工艺完全兼容的集成温度传感器,依据阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,将阈值电压差微小变化转换成频率,输出数字型温度检测结果,电路结构简单、能够自启动。
3) High carrier mobility
高载流子迁移率
4) channel mobility
沟道载流迁移率
5) promoting migration carrier
促进迁移载体
1.
Using the TH-1 as surfactant, kerosene as organic solvent, N235 as promoting migration carrier in the membrane phase; and NaOH as internal phase, the research examines the effects of TH-1 surfactant concentration, carrier concentration,Roi and extraction time on the transport rate of organic compounds.
以TH-1为表面活性剂、煤油作为有机溶剂、N235为促进迁移载体组成液膜的有机相、NaOH溶液作为内水相构成乳状液膜体系。
6) ion transport carrier
离子迁移载体
补充资料：迁移率
分子式：
CAS号：
性质：又称淌度。单位电场强度下，带电粒子的移动速率。它与当量电导有简明的关系，即Λi=uiF。式中i表示第i种离子，Λ为当量电导，u为迁移率，F即法拉第常数。迁移率是决定物质电导率的因素之一。半导体中载流子获得漂流速度，叫做载流子的迁移率。以μ表示载流子的迁移率，E表示电场强度，v表示载流子在电场的漂移速度，则v=μE。Μ与半导体中的杂质浓度、缺陷密度、温度及载流子有效质量有关。在电泳时带电目的物质在电场中移动的速度被通过支持物电场强度所除，通常以cm2/(s·V)表示。在层析中系指层析液移动速度与目的物质移动速度之比，常用Rf表示。
CAS号：
性质：又称淌度。单位电场强度下，带电粒子的移动速率。它与当量电导有简明的关系，即Λi=uiF。式中i表示第i种离子，Λ为当量电导，u为迁移率，F即法拉第常数。迁移率是决定物质电导率的因素之一。半导体中载流子获得漂流速度，叫做载流子的迁移率。以μ表示载流子的迁移率，E表示电场强度，v表示载流子在电场的漂移速度，则v=μE。Μ与半导体中的杂质浓度、缺陷密度、温度及载流子有效质量有关。在电泳时带电目的物质在电场中移动的速度被通过支持物电场强度所除，通常以cm2/(s·V)表示。在层析中系指层析液移动速度与目的物质移动速度之比，常用Rf表示。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条