说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 泄漏;漏极
1)  drain [英][dreɪn]  [美][dren]
泄漏;漏极
2)  inter-electrode leakage
极间泄漏
3)  interelectrode leakage
极间漏泄
4)  polar leakage
磁极漏泄
5)  gate-induced drain leakage
栅致漏极泄漏
6)  drain leakage
漏极泄漏[电流]
补充资料:绝缘栅双极型晶体管


绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT

  IGBT作为开关使用时,为使通态压降UcE低,通常选择为氏E值为10一15v,此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间),耐量值为微秒级,UG。值增加,短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间,RG值大,开关时间增加,单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时,di/dt增大,可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。 主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor,IG召T)一种场控自关断的电力电子器件,又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示,图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET,输出级为电力晶体管(GTR),形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点,但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。 门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示,当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时,MOSFET导通,从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时,MOSFET关断,PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示,当IGBT导通时,工作在特性曲线电流上升区域,UGE增大时,UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、,为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。 发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速,正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V,10DA/emZ流密度下UCE、。认,E,鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔,已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越,,预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器,将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E,<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号 和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
  
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条