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1)  full-bridge rectifier
全桥整流器
2)  Bridge full wave rectifier
桥式全波整流器
3)  three-phash bridge trisistor rectifier
三相全控桥式整流器
4)  double-full-bridge rectifier
双全桥整流
5)  full-control bridge rectifying circuit
全控整流桥
1.
By utilizing the technique of floating potential and photoelectric isolator, the method of obtaining the reference potential of the common-anode thyristor in the three-phaSe full-control bridge rectifying circuit is proposed and the system work is stable.
依据浮动电位与光电隔离技术,提出了解决三相全控桥式整流电路共阳晶闸管的触发脉冲信号产生电路参考电位,选取以及稳定其工作的一种方案,给出了应用于全控整流桥的触发系统电原理图。
6)  bridge rectifier
桥式整流器
1.
Whether it is at the transient state when the compact fluorescent lamp is starting up or at the steady running state,the current waveform through the bridge rectifier for the compact fluorescent lamp only is the spike pulse which is nearly a triangle.
无论在节能灯启动的瞬态还是在正常工作的稳态,流过节能灯专用桥式整流器的电流波形均为近似三角形的尖脉冲。
补充资料:硅可控整流器(siliconcontrolledrectifier(SCR))
硅可控整流器(siliconcontrolledrectifier(SCR))

简称可控硅。是一种三端四层晶体管,由pnpn四层半导体构成,它是一种可以控制的大功率半导体整流器。该器件内部有三个pn结。当可控硅加反向电压(阴极接正,阳极接负)时,结J1和J3处于反偏,只有很小的反向电流,器件处于反向阻断状态。当可控硅加正向电压且控制极不加电压时,结J1和J2处于正向偏置,而结J2为反向偏置,所以器件也只流过很小的正向电流。当正向电压上升到转折电压时,电流突然增加,器件由正向阻断突然转变为导通。导通后,正向特性和普通二极管正向特性相似。但在很大正向电压下使其击穿导通,实际上是不允许的。使用中是把正向触发电压加到控制极G上,使可控硅导通,正向转折电压降低。触发电流愈大,正向转折电压就愈低。触发导通是在极短时间内完成的,一般不超过几微秒。导通后,即使去掉G板上的触发电压,器件仍可维持导通,控制极不再起作用。通常触发电压1~5V,触发电流为几十至几百mA。可控硅导通后,正向压降一般为0.6~1.2V。SCR的额定正向电流从1A到几百A,反向额定电压可高达2kV以上,工作温度150°以下。SCR主要用于电力变换和控制,如可控整流、交流调压、逆变(直流→交流)、斩波调压(直流→可变直流)等。可以用微小的信号功率(100~200mA电流、2~3V电压)对大功率的电源(几百安电流、几千伏电压)进行控制和变换。SCR具有耐压高、容量大、效率高、控制灵敏等优点。缺点是过载能力和抗干扰能力料差,控制电路比较复杂。随着技术的发展,出现了双向可控硅、反向截止可控硅等派生元件,扩大了应用范围。可控硅又称晶体闸流管(简称晶闸管)。

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