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1)  half-wave diode rectifier
半波二极管整流
2)  semiconductor rectifier diode
半导体整流二极管
3)  half-wave rectifier tube
半波整流管
4)  rectifier diode
整流二极管
1.
The electrical parameter of the rectifier diode should be reflected with its absolute maximum ratings and electrical characteristics , while the absolute maximum ratings should be reflected with results of electrical characteristics parameter after testing.
整流二极管的电参数是要通过额定值参数和电特性参数来反映,而额定值参数是要通过试验后由电特性参数的测试结果来反映,电特性参数水平则是要通过电测试来确定,整流二极管的电特性指标不但与测试条件、环境条件等有关;更重要的还与测试方法有关,本文论述了测试方法如何影响整流二极管的电参数水平。
5)  valve tube
二极整流管
6)  diode rectification
二极管整流
补充资料:整流二极管
      一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。
  
  

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