1) ion implantation
离子注入(技术)，离子种入(技术)
2) ion implantation
离子注入技术
1.
In this paper, TRIM is used to simulate profiles from different energies anddoses of six times implantation and the ion implantation optimum processing for n-type SiC ohmiccontact is founded according to large numbers of literatures and domestic processing condition.
由于杂质在 ＳｉＣ 中的扩散系数很低，所以制备 ＳｉＣ 器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术。
2.
This paper overviews general principle and biological effect on microbe morphological, physiological and genetic character by ion implantation were reported in order to deeply study the mutation theory and application in crop.
离子注入在国外首先应用于物质的表面改性,中国科学院等离子所和有关单位另辟蹊径将离子注入技术应用于生物品种的改良。
3) implant isolation technique
离子注入隔离技术
4) PⅢ
等离子体浸没注入技术
5) Iontophoretic technology
离子导入技术
6) plasma immersion ion implantation technique
等离子体浸没离子注入技术
补充资料：离子注入
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：用高速离子轰击格料，使被轰击材料表面形成一定深度的注入层，注入进去的元素可以使注入层的物理性、化学组成和结构发生变化，从而使材料改性。
分子量：
CAS号：
性质：用高速离子轰击格料，使被轰击材料表面形成一定深度的注入层，注入进去的元素可以使注入层的物理性、化学组成和结构发生变化，从而使材料改性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条