1) thermal critical point
热临界点，临界温度
2) critical temperature point
温度临界点
1.
This article illuminates the existence of a critical temperature point in the changing process of thin films structure and properties from the theoretical perspective.
本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在“温度临界点”,然后借助于XRD、Ram an等测试仪器研究分析了S i薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的“温度临界点”。
3) critical temperature
临界点温度
1.
A simulation calculation of the critical temperature of 2D Ising model;
二维伊辛模型相变临界点温度的模拟计算
4) critical temperature of hot-spot initiation caused by impact
撞击热点起爆临界温度
5) thermal critical point
临热界点
6) thermal critival point
热临界点
补充资料：BCS临界温度`T_c`公式（formulaofBCScriticaltemperature$T_c$）
BCS临界温度`T_c`公式（formulaofBCScriticaltemperature$T_c$）
简称BCSTc公式。在弱耦合条件下所给Tc公式为：
`k_BT_c=(1.14)\hbar\omega_Dexp(-1//N(0)V)`
由此知Tc∝ωD，ωD为德拜频率。但$\omega_D\proptoM^{-1/2}$，M为同位素原子质量。实验指出，Tc∝M-α，对一般元素α=1/2。故上式给出了超导的同位素效应。实验结果又显示，当N(0)V≤0.2时，BCS理论结果与实验的符合很好；0.20＜N(0)V＜0.3时有1的误差；N(0)V＞0.3时则误差增大较迅速。这里N(0)和V分别是T=0K时费米面上一种自旋取向的态密度和电子间净的有效吸引相互作用势强度。所以Tc受弱耦合($N(0)V\lt\lt1$)的限制，其最高Tc也受到限制，不能接近ωD的最高值所对应的Tc。BCS理论机制估计的最高Tc一般约30K左右，对金属氢估计可达252K。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条