1) visibility reduction
可见度降低
3) low obser-vable materials
低可见度材料
5) Low-visibility
低能见度
1.
Low-visibility occurrence at Chengdu Shuangliu Airport covers almost one third of a year.
双流机场全年近 1/ 3的日子有低能见度天气出现 ,最多的冬季平均日数达到总数的 80 % ,而且低能见度有明显的季节变化和日变化。
2.
Among them, the influence of the low-visibility processes caused by fog, rainfall and other weathers on transportation have been special great.
近年来,我国的公路、航空、铁路、水上运输、城市交通等迅猛发展,各种气象灾害对交通运输质量和安全的影响受到全社会的广泛关注,尤其是因雾、强降水等引起的低能见度天气对交通的影响更大。
6) low visibility
低能见度
1.
Automatic detection of airfield runways in forward-looking aerial images with low visibility;
低能见度前下视航拍图像中机场跑道的自动检测
2.
Climatic characteristics of low visibility in Urumqi City in recent 30 years;
乌鲁木齐近30年低能见度气候特征
3.
In this paper,the working principle,installation configuration and data collection of the monitoring equipments working under low expressway visibility conditions are introduced through analysis and research on the special climate conditions in southern China and with reference to the low visibility influence of the harsh climate conditions such as fogs,storms,ices,snows,etc.
通过对我国南方地区特殊气候条件的分析与研究,结合在大雾、暴雨、冰雪等恶劣天气条件下低能见度对高速公路行车安全的影响,介绍高速公路低能见度监测设备的工作原理、布设及数据采集,并阐述高速公路监控系统在低能见度天气条件下其预警、应急指挥、预案发布等方面所采取的措施及技术方法。
补充资料：可见光半导体激光材料
可见光半导体激光材料
visible semiconductor laser materials
可见光半导体激光材料visible semiconductorlaser materials激光波长在0 .3一0 .7召m范围内的半导体激光材料。按激光颜色可分红光半导体激光材料、蓝绿光半导体激光材料。可见光半导体激光材料的禁带宽度比红外半导体激光材料的宽。波长愈短，禁带愈宽。 红光半导体激光材料目前已用于制备0.6一0.7召m波段激光器的材料全部是nl一V族化合物半导体(表1)，故其晶体结构、能带结构一致，禁带宽度、晶格表1红光半导体激光材料┌────┬───────┬────────┬───┬───────┐│波长 │激活层 │限制层 │衬底 │备注 ││ (刀m) │ │ │ │ │├────┼───────┼────────┼───┼───────┤│ 0 .67 │Ga:一xAI二As │ Ga卜，AI，As │GaAS │x二0 .4y=0，7 ││ 0 .67 │Ga。.Sln。.SP │ Ga卜盆Al沈As │GaAs │ x>0 .7 ││ 0 .67 │Gao .Slno.。P │Ino .5(Ga，一、 │G月A只│ x二0 .4一1 ││0 .58一 │Inl一了(Ga卜x │ Alx)。.。P ├───┤ ││ 0 .69 │ Alx)，P │ In卜环Ga卜丫 │GaAS │ ││ │ │ AI了)，，P │ │ │└────┴───────┴────────┴───┴───────┘常数、折射率与组分和温度关系遵循相同规律。当使用Gal一xAlxAs/GaAs时，其激活层含有很高的AI组分，禁带宽度E;〔。V)┌─────────────┐│ AIS”沁一_ │├─────────────┤│l一 │├─────────────┤│ 沪 ││一/InP ││ 了曰、. │├─────────────┤│一牙长若 │└─────────────┘毕绷GaAs邝一0 QC6.6.﹄沉 ︵代︶杯枉滚咯外GaAIAs激光器可见光InGa人l尸激光器O一40。6〔k 81。t卜 滋射波长(林m) (AlxGa:一、)，In，一，l，的禁带宽度、 晶格常数与组分的关系氧化造成优质异质结生长困难，并引起器件快速退化，故其实际应用较少。实用化的红光半导体材料是InGaAIP/GaA氏其禁带宽度、晶格常数间的关系如图所示。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条