半导体在一定温度范围内其电阻具有负温度系数，随温度降低而增大。因此，用半导体材料做成的温度计，可以弥补金属电阻温度计在低温温区灵敏度降低的不足。锗电阻温度计是由掺杂锗单晶制成。高纯锗主掺镓，补偿锑则有如图之温度电阻曲线。在Ⅰ区中，半导体本征激发占优，温度越低本征激发所产生的载流子也少，电阻越大。在Ⅱ和Ⅲ区主要是杂质激发所产生的载流子参与导电过程。在Ⅱ区杂质已全部激发，温度降低时由于晶格振动对载流子的散射作用减弱，所以电阻减小。在Ⅲ区中杂质激发所产生的载流子随温度的降低而减少，电阻增加。在Ⅳ区，10K以下本征与杂质激发都不能进行，几乎没有自由载流子，这时仅为杂质能级电导，在电场下形成微弱的电流，温度低电阻高。由此利用Ⅲ、Ⅳ两区，将锗电阻分度，即成锗电阻温度计。