1) reflection high energy electron diffraction method
反射高能电子绕射法
2) low energy electron diffraction method
低能电子绕射法
4) RHEED
反射高能电子衍射
1.
The crystal polytypes and luminescent properties of the film were characterized by reflection high energy electron diffraction (RHEED) and photoluminescence (PL), respectively.
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在1350K的衬底温度下,通过改变Si束流强度,在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜,并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征。
2.
The growth process of the films was in situ monitored by reflective high energy electron diffraction(RHEED).
通过反射高能电子衍射 (RHEED)仪原位实时监测薄膜生长 ,研究薄膜的生长过程。
3.
In this paper, the principle of reflection high energy electron diffraction (RHEED) is introduced.
本文介绍了反射高能电子衍射的工作原理，并将其与低能电子衍射进行了比较，表明ＲＨＥＥＤ具有很多优越性。
6) RHEED
反射式高能电子衍射
1.
The lattice strain in as-prepared BaTiO_3/SrTiO_3 superlattice was analyzed with reflective high energy electronic diffraction(RHEED),X-ray diffraction(XRD) and selective area electron diffraction(SAED).
综合利用反射式高能电子衍射系统(RHEED)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)以及高分辨率透射电镜选区电子衍射(SAED)技术,研究超晶格薄膜的晶格应变现象和规律。
2.
The growth process was in situ monitored with reflective high energy electron diffraction(RHEED).
通过反射式高能电子衍射 (RHEED)对生长过程进行原位监测 ,发现对基片的预热处理明显有利于改善其晶面结构 ,当在其上同质外延Sr TiO3 薄膜时 ,容易实现单晶层状生长模式 ,并得到原子级平整度的铁电薄膜。
3.
SrTiO3/BaTiO3 multilayer films were grown on SrTiO3 (001) substrates by laser molecular beam epitaxy(L-MBE), the smooth of films surface was studied by the reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM).
用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)村底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原住实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析,结果表明薄膜具有二维生长模式,在基片温度为380-470℃之间生长的薄膜具有原子级光滑,并且具有完全C轴取向。
补充资料：低能电子
分子式：
CAS号：
性质：电子电离源中常规的电子能量为70eV。低于此能量的电子称为低能电子。低能电子条件下不会发生的高能反应，降低了分子离子的平均内能，容易获得较大丰度的分子离子峰。
CAS号：
性质：电子电离源中常规的电子能量为70eV。低于此能量的电子称为低能电子。低能电子条件下不会发生的高能反应，降低了分子离子的平均内能，容易获得较大丰度的分子离子峰。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条