1) Secco etching
射哥蚀刻
3) sputter etching
溅射蚀刻
4) etched mirror (reflector)
蚀刻反射镜
5) synchrotron radiation etching
同步辐射刻蚀
6) EDG
蚀刻衍射光栅
1.
Design and sim ulation for devices on Silica-based planar optical waveguide such as MMI couple r , AWG and EDG are discussed, some simulated results finished by COER of Zhejaing University using BPM are given.
Y分支分束器、MMI耦合器、阵列波导光栅 (AWG)和蚀刻衍射光栅 (EDG)等平面波导集成器件正扮演着越来越重要的作用 ,BPM等数值计算方法在这些器件的设计和模拟中也起了重要作用 。
2.
A flat-field etched diffraction grating (EDG) wavelength demultiplexer is much more convenient in fabrication.
利用两点法 (twostigmaticpointsmethod)对平场型蚀刻衍射光栅 (EDG)波分复用器件进行了优化设计 。
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条