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1)  high density plasma enhanced
高密度等离子体增强型
2)  high density plasma enhanced CVD
高密度等离子体增强型CVD
3)  high density plasma
高密度等离子体
1.
Modeling low pre s sure, high density plasma etching is hig hly significant for high density plasma etching processing research.
低气压、高密度等离子体刻蚀轮廓的数值研究对于研究高密度等离子体刻蚀工艺具有重要意义。
4)  plasma enhanced MOCVD
等离子体增强型MOCVD
1.
The as grown, ZnO films annealed after growth and annealed during growth(denoted as S1, S2 and S3, respectively) were grown on C plane sapphire substrate by plasma enhanced MOCVD and characterized by XRD and X ray photoelectron energy spectra.
利用等离子体增强型MOCVD设备 ,在C面蓝宝石上生长出了C轴取向的未退火、生长后一次退火和生长过程中多次退火的ZnO薄膜样品 ,并通过X光衍射和X光电子能谱对样品进行了表征 ,结果表明生长过程中多次退火的样品具有较高的质量 ,O/Zn原子比较大 ,且受空气中氧和水汽的影响最小。
5)  plasma enhanced CVD systemECR
等离子体增强型CVD 系统
6)  microwave plasma enhanced CVD system
微波等离子体增强型
补充资料:高密度离子交换树脂
分子式:
CAS号:

性质: 指采用特种合成工艺条件使所得的强碱性阴树脂。相对密度高出一般的商品阴树脂。此类树脂在工业上主要用于从矿浆中浮洗提炼铀酰阴离子。操作时,把高密度阴树脂放在一个特制的笼中,笼子在矿浆中上下运动,因而要求阴树脂具有高的密度和高的机械强度。

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